[实用新型]功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管无效
| 申请号： | 200720012446.1 | 申请日： | 2007-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN201038162Y | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 吕新立;杨春松 | 申请（专利权）人： | 大连华坤科技有限公司大连宇宙电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/60 |
| 代理公司： | 大连智慧专利事务所 | 代理人： | 周志舰 |
| 地址： | 116400辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口(5)构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层(1－1)与氧化扩散层(22)之间设置的复合半导体材料层(2)组成，氧化扩散层外端下面与活化区(4)相邻接；活化区与N+通道外端对接；复合半导体材料层外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材料层和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层(1－2)。这样氧化扩散层和复合半导体材料层外端向内缩进并在他们外端加设包敷隔离层，就有效地防止氧化扩散层和复合半导体材料层外端外露放电，就能防止放电，从而提高器件的耐高压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 分离 器件 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管，由带有阻障层的雪崩耐能单元和复合围在雪崩耐能单元上面的边界区域及填充在边界区域中部和上面并与雪崩耐能单元导通的金属材料接触窗口(5)构成，雪崩耐能单元下面复合有衬底，边界区域由隔离层(1-1)与氧化扩散层(22)之间设置的复合半导体材料层(2)组成，其特征在于：氧化扩散层(22)外端下面与活化区(4)相邻接；活化区(4)与N+通道(23)外端对接；复合半导体材料层(2)外端和氧化扩散层外端向内错，且在复合半导体材料层(2)和氧化扩散层相错的外端加设包敷隔离层(1-2)。
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