[发明专利]薄膜成膜方法、薄膜成膜装置和薄膜成膜过程的监视方法

摘要

在将含有单体气体和氧化性反应气体的混合气体等离子化，在基材的表面上形成氧化物组成的薄膜的薄膜成膜方法中，具有一边使所述的单体气体与所述的反应气体的供给流量比发生变化，使所述的供给流量比至少包括特定范围，一边将混合气体等离子化的特征。采用这种薄膜成膜方法和成膜装置，能够没有波动和稳定地形成具有气体阻挡性等性能的薄膜。而且，本发明还提供了一种监视方法，其特征在于，在使薄膜成膜之际测定从等离子放出的氢α射线和氧射线的强度，将各强度与可以得到所需膜质的薄膜时各射线的标准强度作对比，判定是否使所需膜质的薄膜成膜。利用所述的监视方法和薄膜成膜装置，能够在过程中判断成膜的薄膜是否具有所需的膜质。

主权项

1.一种薄膜成膜过程的监视方法，其特征在于：使有机硅化合物气体和具有氧化力的气体的混合气体等离子化，在基材表面使氧化硅薄膜成膜时，测定从等离子体放射出的氢α射线强度与氧射线强度，对这些氢α射线强度与氧射线强度，与事先测定的、获得所需膜质的氧化硅薄膜时的氢α射线强度与氧射线强度进行比较，判定所需膜质的氧化硅薄膜是否成膜。