[发明专利]薄膜成膜方法、薄膜成膜装置和薄膜成膜过程的监视方法

权利要求书

1.一种薄膜成膜过程的监视方法，其特征在于：

使有机硅化合物气体和具有氧化力的气体的混合气体等离子化，在基材表面使氧化硅薄膜成膜时，

测定从等离子体放射出的氢α射线强度与氧射线强度，

对这些氢α射线强度与氧射线强度，与事先测定的、获得所需膜质的氧化硅薄膜时的氢α射线强度与氧射线强度进行比较，

判定所需膜质的氧化硅薄膜是否成膜。

2.权利要求1所述的薄膜成膜过程的监视方法，其特征在于，氢α射线强度与氧射线强度的测定，是通过从等离子体放射出的射线中取出特定波长范围的射线测定其强度的方式进行。

3.权利要求1所述的薄膜成膜过程的监视方法，其特征在于，氢α射线强度与氧射线强度的测定，是通过测定从等离子体放射出的射线中，波长处于656±5纳米范围内的射线强度，和波长处于777±5纳米范围内的射线强度的方式进行。

4.一种薄膜成膜装置，其特征在于，具有：

使有机硅化合物气体和具有氧化力的气体的混合气体等离子化，在基材表面使氧化硅薄膜成膜的成膜腔室、

测定从成膜腔室内的等离子体放射出的氢α射线强度与氧射线强度的测定装置、

对事先测定的、获得所需膜质的氧化硅薄膜时的氢α射线强度与氧射线强度进行记忆的记忆装置、和

对测定装置所测定的氢α射线强度与记忆装置所记忆的氢α射线强度进行比较，对测定装置所测定的氧射线强度与记忆装置所记忆的氧射线强度进行比较，判定所测定的氢α射线强度与氧射线强度是否处于所定范围内的判定装置。

5.权利要求4所述的薄膜成膜装置，其特征在于，所述测定装置，具有从成膜腔室内的等离子体中放射出的射线中仅取出特定波长范围射线的带通滤波器。

6.权利要求4所述的薄膜成膜装置，其特征在于，所述测定装置具有使656±5纳米范围以外波长射线的透过率为1％或其以下的第一带通滤波器、使777±5纳米范围波长射线的透过率为1％或其以下的第二带通滤波器、接收通过第一带通滤波器的射线的第一光量传感器、和接收通过第二带通滤波器的射线的第二光量传感器。