[发明专利]薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置有效
申请号: | 200710306290.2 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101236971A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 李在敬;林孝泽;宋荣九;田尚益;禹慈姬 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置,通过在每个单元像素区中形成一对第一和第二像素电极、以及连接到第一和第二像素电极和薄膜晶体管漏电极端的一对第一和第二漏电极板,提供了一种可以防止由静电导致元件损坏的薄膜晶体管基板以及包括该基板的显示装置,通过将一个像素区中的第一漏电极连接到第一漏电极板、将一个像素区中的第二漏电极连接到第二漏电极板、将与所述一个像素区相邻的另一个像素区中的第一漏电极连接到第二漏电极板、将该另一个像素区中的第二漏电极连接到第一漏电极板,可以通过线翻转驱动方式得到点反转的驱动效果。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 包括 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管基板,包括:多条栅极线;多条第一数据线和第二数据线,与所述栅极线交叉;多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,在单元像素区中形成,每个所述单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义,所述薄膜晶体管分别具有第一漏电极和第二漏电极;多个第一像素电极和第二像素电极,在所述单元像素区中形成;多个第一漏电极板,每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个;以及多个第二漏电极板,每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个,其中,在每个所述单元像素区中,所述第一漏电极板和第二漏电极板在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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