[发明专利]薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管基板，包括：

多条栅极线；

多条第一数据线和第二数据线，与所述栅极线交叉；

多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在单元像素区中形成，每个所述单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义，所述薄膜晶体管分别具有第一漏电极和第二漏电极；

多个第一像素电极和第二像素电极，在所述单元像素区中形成；

多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个；以及

多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个，

其中，在每个所述单元像素区中，所述第一漏电极板和第二漏电极板在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间形成。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

其中每个单元像素区中连接所述第一漏电极板和第二漏电极板中心的中心线同所述栅极线交叉。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，还包括：

多个存储电极板，每个所述存储电极板都与每个单元像素区中的所述第一电极板和第二电极板部分地重叠。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管基板，

其中在每个单元像素区中，所述存储电极板形成在所述第一漏电极和第二漏电极的延伸部分之间。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管基板，

其中，在一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，并且

在与所述一个单元像素区相邻的另一个单元像素区中，所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管基板，

其中所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一数据线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。

7.一种显示装置，包括：

多个单元像素，每个所述单元像素都包括第一像素电容器和第二像素电容器，所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共电极，所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极；

多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，在所述单元像素中形成，所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极，且所述第二薄膜晶体管具有第二漏电极；

多个第一漏电极板，每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素中的所述漏电极的一个；以及

多个第二漏电极板，每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的所述漏电极的另一个，

其中，在每个所述单元像素中，所述第一漏电极板和第二漏电极板形成在所述第一漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。

8.如权利要求7所述的显示装置，

其中在每个所述单元像素中的所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管分别连接到所述栅极线中的一个，所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据线，且所述第二薄膜晶体管连接到所述第二数据线。

9.如权利要求8所述的显示装置，

其中，在每个所述单元像素中，连接所述第一漏电极和第二漏电极的中心的中心线与所述栅极线交叉。

10.如权利要求7所述的显示装置，还包括：

多个存储电极板，每个所述存储电极板都与对应的单元像素中的所述第一漏电极和第二漏电极部分地重叠以形成第一存储电容器和第二存储电容器。

11.如权利要求7所述的显示装置，

其中，在一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板，且

在与所述一个像素区相邻的另一个像素区中，所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板，且所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。