[发明专利]薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置有效
申请号: | 200710306290.2 | 申请日: | 2007-11-30 |
公开(公告)号: | CN101236971A | 公开(公告)日: | 2008-08-06 |
发明(设计)人: | 李在敬;林孝泽;宋荣九;田尚益;禹慈姬 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 包括 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置,尤其是一种能够防止显示偏差的薄膜晶体管基板及包括该基板的显示装置。
背景技术
液晶显示装置是一种利用液晶的光学各向异性和可极化性质来显示图象的平板显示装置。即,液晶显示装置通过控制液晶分子的取向来控制光的透射。
液晶显示装置在显示动态画面的时候往往会产生重影。
已经提出增加驱动液晶装置的帧频率到高于60Hz的频率。为了以高于60Hz的帧频率驱动液晶显示装置,就需要改变液晶显示装置的内部像素结构。即,在现有技术中,通过一栅极线和一数据线来控制像素的操作。然而,如上所述,为了以高于60Hz的频率驱动液晶显示装置,在像素区中提供多个子像素,并且通过多条栅极线和数据线来控制这些子像素。然而,由于这样会有降低每个像素的充电速率的作用,可能会产生垂直线瑕疵,或者发生由静电引起的故障。
发明内容
根据本发明的一方面,通过交替驱动获得点反转,该交替驱动中具有不同极性的像素电压施加到相邻像素区域中的子像素电极。通过增加漏电极的像素接触区域,防止由于静电引起的元件故障,所述漏电极连接到形成在一像素区域内的多个子像素电极。
本发明的一个示例性的实施例包括一种薄膜晶体管基板,该基板包括:多条栅极线;多条第一和第二数据线,与所述栅极线交叉;多个第一和第二薄膜晶体管,在单元像素区中形成,每个单元像素区由栅极线、第一数据线和第二数据线定义,所述薄膜晶体管分别具有第一和第二漏电极;多个第一和第二像素电极,在单元像素区中形成;多个第一漏电极板,每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素区中包括的所述漏电极中的一个;以及多个第二漏电极板,每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素区中包括的所述漏电极中的另一个。
在该薄膜晶体管基板内,在每个单元像素区中,所述第一和第二漏电极板在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间形成。
每个所述单元像素区中连接所述第一和第二漏电极板中心的中心线同所述栅极线交叉。
该薄膜晶体管基板还可以包括多个存储电极板,每个所述存储电极板都与每个所述单元像素区中的所述第一和第二电极板部分地重叠。在每个单元像素区中,所述存储电极板形成在所述第一和第二漏电极的延伸部分之间。
在一个像素区中,所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板,所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板。在与所述一个单元像素区相邻的另一个单元像素区中,所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板,所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。所述第一薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第一数据线,所述第二薄膜晶体管连接到所述栅极线和所述第二数据线。
本发明的一个示例性的实施例包括一显示装置,该显示装置包括:多个单元像素,每个所述单元像素都包括第一像素电容器和第二像素电容器,所述第一像素电容器具有第一像素电极和公共电极,所述第二像素电容器具有第二像素电极和所述公共电极;多个第一和第二薄膜晶体管,在所述单元像素中形成,所述第一薄膜晶体管具有第一漏电极,所述第二薄膜晶体管具有第二漏电极;多个第一漏电极板,每个所述第一漏电极板连接到各自的像素电极以及所述单元像素中的一个所述漏电极;以及多个第二漏电极板,每个所述第二漏电极板连接到各自的像素电极和所述单元像素中的另一个所述漏电极。在每个所述单元像素中,所述第一和第二漏电极板形成在所述第一漏电极和所述第二漏电极的延伸部分之间。
在每个所述单元像素中的所述第一和第二薄膜晶体管分别连接到所述栅极线中的一个,所述第一薄膜晶体管连接到所述第一数据线,所述第二薄膜晶体管连接到所述第二数据线。另外,在每个所述单元像素中,连接所述第一和第二漏电极的中心的中心线与栅极线交叉。
多个存储电极板中的每个都与对应的单元像素中的所述第一和第二漏电极部分地重叠以形成第一和第二存储电容器。
在一个像素区中,所述第一漏电极连接到所述第一漏电极板,所述第二漏电极连接到所述第二漏电极板。在一个相邻的像素区中,所述第一漏电极连接到所述第二漏电极板,所述第二漏电极连接到所述第一漏电极板。
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