[发明专利]发光二极管的封装构造及其封装方法无效
| 申请号： | 200710305618.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471410A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 袁瑞鸿 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种发光二极管的封装构造及其封装方法，该发光二极管的封装构造包含，基材、发光芯片以及缓冲层体结构。发光芯片设于基材上，并具有一第一折射率。缓冲层体结构设于基材上并覆盖发光芯片，且包含第一缓冲层体以及第二缓冲层体。第一缓冲层体覆盖发光芯片，并具有一第二折射率。第二缓冲层体覆盖第一缓冲层体，并具有一第三折射率。其中第一折射率大于第二折射率，以及第二折射率大于第三折射率，以减少当光线通过封装介质时所发生的全反射现象。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 构造 及其 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管的封装构造，其特征在于，至少包含：一基材；一发光芯片，设于该基材上，并具有一第一折射率；以及一缓冲层体结构，设于该基材上并覆盖该发光芯片，且包含：一第一缓冲层体，覆盖该发光芯片，并具有一第二折射率；以及一第二缓冲层体，覆盖该第一缓冲层体，并具有一第三折射率；其中该第一折射率大于该第二折射率，以及该第二折射率大于该第三折射率。
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