[发明专利]发光二极管的封装构造及其封装方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管，且特别涉及一种发光二极管的封装构造以及其封装方法。

背景技术

发光二极管(LED)因具有低耗能、高亮度等优点，因此也经被广泛应用于各种的电子产品上。其中，许多应用发光二极管的电子产品对于发光二极管在亮度方面有特别的要求。

在现有白光发光二极管的封装制程上，主要为导线架或基材制作制程、固晶制程(Die Bond)、焊线制程(Wire Bond)以及封胶(混合荧光粉)制程。

当光线由发光芯片的发光层产生后，会先经过发光芯片(假设其折射率为n1)，再经过封胶体(假设其折射率为n2)后，发射出封胶体，使发光二极管产生光亮。由于发光二极管的发光芯片与封胶制程的封胶体两者间的折射率的差值过大，亦即发光芯片的折射率(n1)大于封胶体的折射率(n2)，当光线通过两个折射率差值大的不同介质(即发光芯片与封胶体)时，由司乃耳(Snell′s Law)定律可知，光线在发光芯片与封胶体之间的接口，产生全反射的机率会增大。如此，会影响发光二极管的出光量，导致其亮度不足。

发明内容

本发明的目的是在提供一种发光二极管的封装构造，该封装构造具有不同的缓冲层体，该些缓冲层体的折射率以递减方式，来消除发光芯片所发出的光线通过封装构造所发生的全反射现象。

本发明的另一目的是在提供一种发光二极管的封装方法，以封装发光芯片，来消除发光芯片所发出的光线通过封装构造所发生的全反射现象。

依照本发明的一种发光二极管的封装构造，包含基材、发光芯片以及缓冲层体结构。发光芯片设于基材上，并具有一第一折射率。

缓冲层体结构设于基材上并覆盖发光芯片，且包含第一缓冲层体以及第二缓冲层体。第一缓冲层体覆盖发光芯片，并具有一第二折射率。第二缓冲层体覆盖第一缓冲层体，并具有一第三折射率。其中第一折射率大于第二折射率，以及第二折射率大于第三折射率。

第一缓冲层体可为透明胶体混合荧光粉的层体。第二缓冲层体可为透明胶层体或透明薄膜。发光芯片可为蓝光发光芯片。

依照本发明的一种发光二极管的封装方法，于基材上进行一前制程，以将发光芯片固定于基材上并完成发光芯片的电性连接。接着形成第一缓冲层体覆盖发光芯片后，再形成第二缓冲层体覆盖第一缓冲层体。其中发光芯片、第一缓冲层体以及第二缓冲层体分别具有一第一折射率、一第二折射率以及一第三折射率，第一折射率大于第二折射率，第二折射率大于第三折射率。

由上述依据本发明的实施例可以实现的功效在于：

当发光芯片使用蓝光发光芯片时，在固芯焊线制程(即前制程)后，先形成第一缓冲层体，例如使用透明胶体混合荧光粉后以压模方式形成，使蓝光发光芯片可激发第一缓冲层体中的荧光粉产生白光，同时缓冲蓝光发光芯片所发出的光线。

再利用反射率较第一缓冲层体低的第二缓冲层体，例如透明胶，缓冲通过第一缓冲层体的光线，减少全反射的机率，最后再配合反射盖以有效增加出光量，提升发光效率。

以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。

附图说明

图1本发明一第一实施例的一种发光二极管的封装构造的示意剖面图；

图2本发明一第二实施例的一种发光二极管的封装构造的示意剖面图；

图3本发明一实施例的一种发光二极管的封装方法的流程图。

其中，附图标记

100：发光二极管封装构造        150：反射盖

110：基材                      200：步骤

111：导电组件                  210：步骤

120：发光芯片             220：步骤

130：第一缓冲层体         240：步骤

140：第二缓冲层体         250：步骤

具体实施方式

请参照图1，依照本发明一较佳实施例的一种发光二极管封装构造100，包含基材110、发光芯片120以及缓冲层体结构。在本实施例中，缓冲层体结构以2层为例说明，亦即包含第一缓冲层体130以及一第二缓冲层体140。