[发明专利]发光二极管的封装构造及其封装方法无效
| 申请号： | 200710305618.9 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471410A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 袁瑞鸿 | 申请（专利权）人： | 亿光电子工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 梁 挥;张燕华 |
| 地址： | 中国台湾台北县*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 封装 构造 及其 方法 | ||
1.一种发光二极管的封装构造，其特征在于，至少包含：
一基材；
一发光芯片，设于该基材上，并具有一第一折射率；以及
一缓冲层体结构，设于该基材上并覆盖该发光芯片，且包含：
一第一缓冲层体，覆盖该发光芯片，并具有一第二折射率；以及
一第二缓冲层体，覆盖该第一缓冲层体，并具有一第三折射率；
其中该第一折射率大于该第二折射率，以及该第二折射率大于该第三折射率。
2.根据要求1所述的发光二极管的封装构造，其特征在于，该第二折射率为约2.0，以及该第三折射率为约1.5。
3.根据要求1所述的发光二极管的封装构造，其特征在于，该第一缓冲层体为一透明胶体混合荧光粉的层体。
4.根据要求1所述的发光二极管的封装构造，其特征在于，该第二缓冲层体为一透明胶层体。
5.根据要求1所述的发光二极管的封装构造，其特征在于，该第二缓冲层体为一透明薄膜，该透明薄膜覆盖第一缓冲层体，并具有一厚度，该厚度为一1纳米到5毫米的范围之间。
6.根据要求1所述的发光二极管的封装构造，其特征在于，该发光芯片为一蓝光发光芯片。
7.一种发光二极管的封装方法，其特征在于，至少包含：
于一基材上进行一前制程，以将一发光芯片固定于该基材上并完成该发光芯片的电性连接；
形成一第一缓冲层体覆盖发光芯片；以及
形成一第二缓冲层体覆盖该第一缓冲层体；
其中该发光芯片、该第一缓冲层体以及该第二缓冲层体分别具有一第一折射率、一第二折射率以及一第三折射率，该第一折射率大于该第二折射率，该第二折射率大于该第三折射率。
8.根据权利要求7所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，该第一缓冲层体使用模压方式形成。
9.根据权利要求7所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，该第二缓冲层体使用灌胶方式、模压方式、镀模方式以及涂布方式的其中一种形成。
10.根据权利要求7所述的发光二极管的封装方法，其特征在于，该第二折射率为约2.0，以及该第三折射率为约1.5。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亿光电子工业股份有限公司，未经亿光电子工业股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710305618.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集束天线及其封装装置
- 下一篇：发光二极管芯片模块
