[发明专利]制造DMOS器件的方法无效
| 申请号： | 200710302134.9 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101211789A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 尹喆镇 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供了一种制造半导体器件的方法，具体是制造DMOS器件的方法。所述半导体器件可以为漏极扩展的金属－氧化物－半导体(DMOS)器件。所述方法包括：在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；在栅极绝缘膜上形成栅极；通过使用栅极作为掩模注入低浓度杂质离子在半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；在栅极的侧面上形成隔离物；在半导体衬底上形成覆盖栅极和低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和通过使用SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子在半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 dmos 器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；在所述栅极绝缘膜上形成栅极；通过使用所述栅极作为掩模注入低浓度杂质离子，在所述半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；在所述栅极的侧面上形成隔离物；在所述半导体衬底上形成覆盖所述栅极和所述低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和通过使用所述SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子，在所述半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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