[发明专利]制造DMOS器件的方法无效
| 申请号： | 200710302134.9 | 申请日： | 2007-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101211789A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 尹喆镇 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;蔡胜有 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 dmos 器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
在具有有源区的半导体衬底上形成栅极绝缘膜；
在所述栅极绝缘膜上形成栅极；
通过使用所述栅极作为掩模注入低浓度杂质离子，在所述半导体衬底上形成低浓度源极区和低浓度漏极区；
在所述栅极的侧面上形成隔离物；
在所述半导体衬底上形成覆盖所述栅极和所述低浓度漏极区的一部分的硅化物区域阻挡(SAB)图案；和
通过使用所述SAB图案作为掩模注入高浓度杂质离子，在所述半导体衬底上形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
2.权利要求1的方法，其中所述隔离物包括氮化物膜。
3.权利要求1的方法，其中所述SAB图案覆盖靠近所述低浓度漏极区的所述栅极的上表面的一部分。
4.权利要求1的方法，其中所述SAB图案覆盖所述低浓度漏极区的一部分。
5.权利要求1的方法，其中所述SAB图案覆盖靠近所述低浓度漏极区的所述栅极的上表面的一部分和所述低浓度漏极区的一部分。
6.权利要求1的方法，还包括：
在形成所述高浓度源极区和所述高浓度漏极区之后，在所得结构上进行硅化物工艺以在所述高浓度源极区上、在所述栅极的上表面的一部分上和在所述高浓度漏极区上形成硅化物层。
7.一种制造具有衬底的半导体器件的方法，在所述衬底上形成有阱结构、源极区、漏极区、栅极绝缘层和栅极，所述方法包括提供所述衬底，和利用硅化物区域阻挡(SAB)图案作为掩模在所述衬底的所述源极区和所述漏极区上实施离子注入工艺。
8.权利要求7的方法，其中实施所述离子注入工艺包括利用所述SAB图案作为掩模形成高浓度源极区和高浓度漏极区。
9.权利要求8的方法，其中形成所述高浓度源极区和高浓度漏极区包括利用覆盖低浓度漏极区和低浓度源极区的一部分的所述SAB图案作为掩模来注入高浓度杂质离子。
10.权利要求7的方法，其中所述SAB图案覆盖靠近所述漏极区的所述栅极的上表面的一部分和所述低浓度漏极区的一部分。
11.权利要求7的方法，还包括利用所述SAB图案作为掩模，在所述源极区上、在所述栅极的上表面的一部分上和在所述漏极区上形成硅化物层。
12.权利要求7的方法，其中所述半导体器件包括具有漏极扩展N-型MOS结构的DMOS器件。
13.权利要求7的方法，其中所述半导体器件包括具有漏极扩展P-型MOS结构的DMOS器件。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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