[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
申请号: | 200710300715.9 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101221990A | 公开(公告)日: | 2008-07-16 |
发明(设计)人: | 八木良太郎;中尾雄一;西村勇 | 申请(专利权)人: | 罗姆股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/92 | 分类号: | H01L29/92;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/822 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明的半导体装置具备:下部电极,由金属材料构成;电容膜,由绝缘材料构成,并被层叠在上述下部电极上;上部电极,由金属材料构成,以夹持上述电容膜的方式与上述下部电极对置,且在从该对置方向看的俯视图中具有比上述下部电极小的外形;和保护膜,由与上述电容膜相同的材料构成,并被层叠在上述上部电极上。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:下部电极,由金属材料构成;电容膜,由绝缘材料构成,并被层叠在上述下部电极上;上部电极,由金属材料构成,以夹持上述电容膜的方式与上述下部电极对置,且在从该对置方向看的俯视图中具有比上述下部电极小的外形;和保护膜,由与上述电容膜相同的材料构成,并被层叠在上述上部电极上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于罗姆股份有限公司,未经罗姆股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710300715.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种聚丙烯生产新型杀活剂性能评价方法
- 下一篇:丁香苦苷滴丸及其制备工艺
- 同类专利
- 专利分类