[发明专利]半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710300715.9 | 申请日： | 2007-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101221990A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 八木良太郎;中尾雄一;西村勇 | 申请（专利权）人： | 罗姆股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/92 | 分类号： | H01L29/92;H01L23/522;H01L27/04;H01L27/06;H01L27/08;H01L21/02;H01L21/768;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，包括：
下部电极，由金属材料构成；
电容膜，由绝缘材料构成，并被层叠在上述下部电极上；
上部电极，由金属材料构成，以夹持上述电容膜的方式与上述下部电极对置，且在从该对置方向看的俯视图中具有比上述下部电极小的外形；和
保护膜，由与上述电容膜相同的材料构成，并被层叠在上述上部电极上。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
上述保护膜在上述俯视图中具有与上述上部电极相同的外形。
3.一种半导体装置，其特征在于，
包括：
下部电极，由金属材料构成；
电容膜，由绝缘材料构成，并被层叠在上述下部电极上；
上部电极，由金属材料构成，以夹持上述电容膜的方式与上述下部电极对置，并且在从该对置方向看的俯视图中具有比上述下部电极小的外形；和
保护膜，由绝缘材料构成，被层叠在上述上部电极上，并且在上述俯视图中具有与上述上部电极相同的外形。
4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，
包括：
电容膜形成工序，在由金属材料构成的下部电极上形成由绝缘材料构成的电容膜；
上部电极形成工序，在上述电容膜上的与上述下部电极对置的位置，形成上部电极，该上部电极由金属材料构成并且在从该对置方向看的俯视图中具有比上述下部电极小的外形；
保护膜形成工序，在上述上部电极上形成由绝缘材料构成的保护膜；
绝缘膜形成工序，在上述电容膜及上述保护膜上，形成由绝缘材料构成的绝缘膜；
贯通孔形成工序，在上述绝缘膜中形成使上述电容膜及上述保护膜分别露出一部分的贯通孔；和
蚀刻工序，在上述贯通孔形成工序后，通过将上述绝缘膜作为掩模的对上述电容膜及上述保护膜的蚀刻，在上述电容膜及上述保护膜中分别形成使上述下部电极及上述上部电极露出的开口。
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