[发明专利]晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统无效
| 申请号： | 200710300663.5 | 申请日： | 2007-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN101465277A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李明;陈为生;陈国卿;李文亚 | 申请（专利权）人： | 和舰科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/306;G05B19/04 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑 光 |
| 地址： | 215025江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统，根据已蚀刻的误差率来得出时间修正参数，并通过时间修正参数对最接近的一次蚀刻的蚀刻时间进行修正以得出本次蚀刻的蚀刻时间。本发明相比较现有技术，能够根据以往多次蚀刻或其中的数次蚀刻的蚀刻误差得到误差参数，并以该误差参数来对最近一次蚀刻的蚀刻时间进行修正，以降低在大批生产时的误差率，并能够最大限度的降低蚀刻能力漂移在批量生产时造成的误差率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆浅沟 隔离 蚀刻 时间 设定 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法，包括：步骤1、判断是否为第一次蚀刻，如果是则步骤结束；否则进入步骤2；步骤2、根据已蚀刻的实际蚀刻深度、预定蚀刻深度以及蚀刻时间，修正本次蚀刻时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
