[发明专利]晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种晶圆浅沟隔离(Shallow Trench Isolation，以下简称STI)的蚀刻时间设定的方法和系统。

背景技术

对于集成电路(Integrated Circuit，以下简称IC)产品，特别是0.16制程的IC产品，其浅槽隔离(Shallow Trench Isolation，以下简称STI)步阶高度(Step height)与产品的电性能有很强的联系。因此，在制造IC的过程中，需要在进行STI蚀刻时严格控制该参数。

晶圆STI蚀刻深度是由蚀刻时间决定的。为了精确控制STI蚀刻深度，必须精确的控制STI蚀刻的时间。对于蚀刻的时间设定必须依照实际蚀刻值测量来进行调整。

第一种方式，是早期的STI蚀刻方法，通过经验人为设定蚀刻时间，这样存在着很大的误选的风险。一旦选错就会造成产品的STI深度错误，从而使产品报废。

第二种方法，是通过每天的实际测机结果来设定STI蚀刻的时间。但是这样如果有多批产品连续进行STI蚀刻，一旦当天的测机结果不准，就会出现连续的报废。

第三种方法，是每天先进行小批次的产品STI蚀刻，并等待这些产品的后续深度量测结果，如果量测结果正常再进行后续大规模的STI蚀刻。这种方法虽然会影响工作效率，但是可以一定程度的降低残次率。但是由于在连续蚀刻时存在不可避免的蚀刻能力漂移，在大批量连续蚀刻时不可避免的还是会产生偏差，残次率依然很高。

发明内容

针对现有技术中的上述缺陷和问题，本发明的目的是提出一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统，在大规模生产中不断根据已经蚀刻的晶圆的误差率修正蚀刻时间，并能够实现不需要人为参与，在大批量连续蚀刻中最大限度降低残次品率。

为了达到上述目的，本发明提出了一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法，包括：

步骤1、判断是否为第一次蚀刻，如果是则步骤结束；否则进入步骤2；

步骤2、根据已蚀刻的实际蚀刻深度、预定蚀刻深度以及蚀刻时间，修正本次蚀刻时间。

作为上述技术方案的优选，所述步骤2具体为：

步骤21、根据已蚀刻的实际蚀刻深度、预定蚀刻深度，计算出蚀刻的误差值；

步骤22、根据蚀刻的误差值得到时间修正参数，并根据时间修正参数调整最接近一次蚀刻的蚀刻时间，得到本次蚀刻的蚀刻时间。

作为上述技术方案的优选，所述步骤22具体为：

步骤221、以每一误差值乘以其对应的预设权重，得到每次蚀刻误差参数，并根据每次蚀刻误差参数计算出总误差参数；

步骤222、根据总误差参数以及最接近一次蚀刻的蚀刻时间，计算出本次蚀刻的蚀刻时间。

其中步骤222具体为：

步骤222、总误差参数除以预定参数得到时间修正参数，并将前一次蚀刻时间与所述的时间修正参数求和，作为本次蚀刻的蚀刻时间。

同时，本发明还提出了一种使用上述方法进行蚀刻时间设定的系统，包括：

存储装置，所述存储装置用于存储已蚀刻的实际蚀刻深度以及蚀刻时间；

蚀刻时间计算装置，该模块根据已蚀刻的实际深度、预定深度以及蚀刻时间，得出本次蚀刻的蚀刻时间。

作为上述技术方案的优选，所述进行蚀刻时间设定的系统中的蚀刻时间计算装置包括：

蚀刻误差参数计算模块，该模块根据已蚀刻的实际深度与预定深度计算出蚀刻误差，并对每一时刻误差乘以其对应的预设权重，计算出已蚀刻的蚀刻误差参数；

总蚀刻误差参数计算模块，该模块根据所述蚀刻误差参数计算模块的计算结果，计算出总蚀刻误差参数；

时间修正计算模块，该模块根据所述总蚀刻误差参数计算模块得到的总蚀刻误差参数，以及最接近一次蚀刻的蚀刻时间，计算出本次蚀刻的蚀刻时间。

作为上述技术方案的优选，所述进行蚀刻时间设定的系统中的时间修正计算模块将所述总误差参数除以预定参数得到时间修正参数，并将前一次蚀刻时间与所述的时间修正参数求和，作为本次蚀刻的蚀刻时间。

作为上述技术方案的优选，所述进行蚀刻时间设定的系统还包括：

接口模块，所述接口模块提供接口，使所述进行蚀刻时间设定的系统与能够连接蚀刻设备，并将所述误差参数计算模块计算的蚀刻时间发送到所述蚀刻设备。