[发明专利]晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法和系统无效

专利信息
申请号: 200710300663.5 申请日: 2007-12-19
公开(公告)号: CN101465277A 公开(公告)日: 2009-06-24
发明(设计)人: 李明;陈为生;陈国卿;李文亚 申请(专利权)人: 和舰科技(苏州)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/306;G05B19/04
代理公司: 北京连和连知识产权代理有限公司 代理人: 郑 光
地址: 215025江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 晶圆浅沟 隔离 蚀刻 时间 设定 方法 系统
【权利要求书】:

1、一种晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法,包括:

步骤1、判断是否为第一次蚀刻,如果是则步骤结束;否则进入步骤2;

步骤2、根据已蚀刻的实际蚀刻深度、预定蚀刻深度以及蚀刻时间,修正本次蚀刻时间。

2、根据权利要求1所述的晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法,其特征在于,所述步骤2具体为:

步骤21、根据已蚀刻的实际蚀刻深度、预定蚀刻深度,计算出蚀刻的误差值;

步骤22、根据蚀刻的误差值得到时间修正参数,并根据时间修正参数调整最接近一次蚀刻的蚀刻时间,得到本次蚀刻的蚀刻时间。

3、根据权利要求2所述的晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法,其特征在于,所述步骤22具体为:

步骤221、以每一误差值乘以其对应的预设权重,得到每次蚀刻误差参数,并根据每次蚀刻误差参数计算出总误差参数;

步骤222、根据总误差参数以及最接近一次蚀刻的蚀刻时间,计算出本次蚀刻的蚀刻时间。

4、根据权利要求3所述的晶圆浅沟隔离的蚀刻时间设定的方法,其特征在于,步骤222具体为:

步骤222、总误差参数除以预定参数得到时间修正参数,并将前一次蚀刻时间与所述的时间修正参数求和,作为本次蚀刻的蚀刻时间。

5、一种使用上述方法进行蚀刻时间设定的系统,包括:

存储装置,所述存储装置用于存储已蚀刻的实际蚀刻深度以及蚀刻时间;

蚀刻时间计算装置,该模块根据已蚀刻的实际深度、预定深度以及蚀刻时间,得出本次蚀刻的蚀刻时间。

6、根据权利要求5所述的进行蚀刻时间设定的系统,其特征在于,所述进行蚀刻时间设定的系统中的蚀刻时间计算装置包括:

蚀刻误差参数计算模块,该模块根据已蚀刻的实际深度与预定深度计算出蚀刻误差,并对每一蚀刻误差乘以其对应的预设权重,计算出已蚀刻的蚀刻误差参数;

总蚀刻误差参数计算模块,该模块根据所述蚀刻误差参数计算模块的计算结果,计算出总蚀刻误差参数;

时间修正计算模块,该模块根据所述总蚀刻误差参数计算模块得到的总蚀刻误差参数,以及最接近一次蚀刻的蚀刻时间,计算出本次蚀刻的蚀刻时间。

7、根据权利要求6所述的进行蚀刻时间设定的系统,其特征在于,所述进行蚀刻时间设定的系统中的时间修正计算模块将所述总误差参数除以预定参数得到时间修正参数,并将前一次蚀刻时间与所述的时间修正参数求和,作为本次蚀刻的蚀刻时间。

8、根据权利要求5所述的进行蚀刻时间设定的系统,其特征在于,所述进行蚀刻时间设定的系统还包括:

接口模块,所述接口模块提供接口,使所述进行蚀刻时间设定的系统与能够连接蚀刻设备,并将所述误差参数计算模块计算的蚀刻时间发送到所述蚀刻设备。

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