[发明专利]一种硅材料粉末化学纯化的方法无效
申请号: | 200710201161.7 | 申请日: | 2007-07-24 |
公开(公告)号: | CN101112989A | 公开(公告)日: | 2008-01-30 |
发明(设计)人: | 罗应明;郭力 | 申请(专利权)人: | 晶湛(南昌)科技有限公司 |
主分类号: | C01B33/037 | 分类号: | C01B33/037 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330013江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 一种硅材料粉末化学纯化的方法,其方法是:将金属硅粉碎至微米级,将粉末气流喷至水雾中,用酸常温进行清洗,将粉末置入离心甩干机中甩干。本发明的优点是:1.将粉末气流喷至水雾中,解决硅粉成团问题,使粉末酸液清洗完整;2.工艺合理,耗能少,成本低;3.硅粉末纯度高。 | ||
搜索关键词: | 一种 材料 粉末 化学 纯化 方法 | ||
【主权项】:
1.一种硅材料粉末化学纯化的方法,其特征是方法步骤如下:首先将工业级金属硅或石英矿二氧化硅粉碎至微米级;将步骤1粉末用振荡器将超纯水雾化,再将粉末用气流喷至水雾中,将硅材料粉末完全沾湿,振荡造雾机所产生之水雾跟强气流吹入之硅粉未充分沾湿;用3HCL/1HNO3酸液常温清洗:A、用工业级盐酸及硝酸经耐酸碱过滤器过滤掉杂质后,再按3份盐酸,1份硝酸之比例配好;B、将步骤2所述粉末置入酸槽30分钟,配好的3HCL/1HNO3液常温浸泡,同时利用气泡或电机带搅拌器搅拌使之粉末与酸充分反应;C、酸洗完毕排掉槽中酸液,改用超纯水清洗,监控水值的电阻率达1兆欧姆即排掉纯水;(4)用50∶1HF常温清洗A、用工业级浓度49%之氢氟酸经耐酸碱过滤器过滤掉杂质,再按50份超纯水1份氢氟酸比例配比;B、将步骤3所得之粉末置入槽中,常温浸泡30分钟,同时用气泡或电机带搅拌器搅拌,使粉末与酸充分反应;C、酸洗完毕,排掉槽中之酸液,改用超纯水清洗,监控水值的电阻率达1兆欧姆即可排掉纯水;D、将粉末置入离心甩干机中甩干;E、将甩干的粉末置入烘箱,设定温度达100±3℃,底部吹入氮气,搅动粉末,使粉末干燥。
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