[发明专利]包含金属覆盖的晶圆级封装结构与制备方法无效
| 申请号： | 200710196996.8 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101197336A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 杨文焜 | 申请（专利权）人： | 育霈科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/36;H01L23/544;H01L23/485 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明一晶圆级封装至少包含多数芯片形成于一晶圆上；以一粘性材料将一包含一孔洞的较薄金属覆盖于晶圆上，以改善封装热传导。一保护膜形成于金属覆盖背面并填入孔洞，以便于使用激光标记与得到较佳封装切割质量。 | ||
| 搜索关键词： | 包含 金属 覆盖 晶圆级 封装 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一晶圆级封装结构，其特征在于至少包含：一晶圆，包含多数芯片形成于上，其中该晶圆至少包含一沟形成于内；一介质层形成于该多数芯片上并填入该沟，但使该多数芯片的垫片暴露；一金属层以粘性材料粘于该晶圆；一保护膜形成于该金属层背面；一导体图案层形成于该介质层且与该垫片连接；一焊锡屏蔽覆盖于该导体图案层与该介质层，但该导体图案层一部分暴露于外；与焊锡球形成于该暴露部分且与该导体图案层连接。
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