[发明专利]包含金属覆盖的晶圆级封装结构与制备方法

权利要求书

1.一晶圆级封装结构，其特征在于至少包含：

一晶圆，包含多数芯片形成于上，其中该晶圆至少包含一沟形成于内；

一介质层形成于该多数芯片上并填入该沟，但使该多数芯片的垫片暴露；

一金属层以粘性材料粘于该晶圆；

一保护膜形成于该金属层背面；

一导体图案层形成于该介质层且与该垫片连接；

一焊锡屏蔽覆盖于该导体图案层与该介质层，但该导体图案层一部分暴露于外；与

焊锡球形成于该暴露部分且与该导体图案层连接。

2.如权利要求1的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该金属基材至少包含合金42(42％镍与58％铁)。

3.如权利要求1的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该保护膜材料至少包含环氧树脂树脂，化合物，介质层，硅，硅橡胶，硅树脂，弹性聚氨酯，多孔性聚氨酯，丙烯酸橡胶，蓝胶带或紫外光胶带材料。

4.如权利要求1的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该保护膜以激光或墨水标记。

5.如权利要求1的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该金属层厚度为2.0密耳至4.0密耳。

6.一晶圆级封装结构，其特征在于至少包含：

一晶圆包含多数芯片形成于上，其中该晶圆至少包含一沟形成于内；

一金属基材包含一沟形成于内，以一粘性材料粘于该晶圆；

一保护膜形成于该基材背面并填入该沟；

一介质层形成于该多数芯片上并填入该沟，但该多数芯片垫片暴露于外；

一导体图案层形成于该介质层上且与该垫片连接；

一焊锡屏蔽覆盖于该导体图案层与该介质层，但该导体图案层一部分暴露；与

焊锡球形成于该暴露部分上且与该导体图案层连接。

7.如权利要求6的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该基材至少包含合金42。

8.如权利要求6的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该保护膜材料至少包含环氧树脂树脂、化合物、介质层、硅、硅橡胶、硅树脂、弹性聚氨酯、多孔性聚氨酯、丙烯酸橡胶、蓝胶带或紫外光胶带材料。

9.如权利要求6的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该保护膜以激光或墨水标记。

10.如权利要求6的晶圆级封装结构，其特征在于，其中该沟深度为2.0密耳至10.0密耳。