[发明专利]半导体工艺处理系统及其处理方法有效
申请号: | 200710194975.2 | 申请日: | 2005-08-05 |
公开(公告)号: | CN101174556A | 公开(公告)日: | 2008-05-07 |
发明(设计)人: | 陈爱华 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 逯长明 |
地址: | 201201上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种半导体工艺处理系统,其包括真空锁、传送室、以及一个或多个处理腔室;其中,传送室位于真空锁和处理腔室之间,处理腔室可围绕传送室设置;传送室内设有传送装置。本发明可以只通过传送装置的运动,而不需要真空锁或处理腔室在竖直方向调整位置,即可完成工艺件装卸或交换动作,从而可以更加迅速及低成本地装卸和交换工艺件,提高产能。本发明还公开了一种采用特殊设计的进排气系统的处理腔室,使得处理腔室内的各处理平台之间形成反应气体幕障,可以提升各处理平台之间的均一度,避免了不同处理平台之间的反应气体串扰。 | ||
搜索关键词: | 半导体 工艺 处理 系统 及其 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体处理腔室,包括腔室顶盖和腔室基盘,所述处理腔室内设置有多个处理平台,其特征在于:所述处理腔室内部还包括一个抽气隔离板放置于所述多个处理平台上,所述抽气隔离板具有多个与处理平台相对应的抽气隔离孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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