[发明专利]半导体工艺处理系统及其处理方法有效

专利信息
申请号: 200710194975.2 申请日: 2005-08-05
公开(公告)号: CN101174556A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 陈爱华 申请(专利权)人: 中微半导体设备(上海)有限公司
主分类号: H01L21/00 分类号: H01L21/00;H01L21/02;H01L21/67
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人: 逯长明
地址: 201201上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种半导体工艺处理系统,其包括真空锁、传送室、以及一个或多个处理腔室;其中,传送室位于真空锁和处理腔室之间,处理腔室可围绕传送室设置;传送室内设有传送装置。本发明可以只通过传送装置的运动,而不需要真空锁或处理腔室在竖直方向调整位置,即可完成工艺件装卸或交换动作,从而可以更加迅速及低成本地装卸和交换工艺件,提高产能。本发明还公开了一种采用特殊设计的进排气系统的处理腔室,使得处理腔室内的各处理平台之间形成反应气体幕障,可以提升各处理平台之间的均一度,避免了不同处理平台之间的反应气体串扰。
搜索关键词: 半导体 工艺 处理 系统 及其 方法
【主权项】:
1.一种半导体处理腔室,包括腔室顶盖和腔室基盘,所述处理腔室内设置有多个处理平台,其特征在于:所述处理腔室内部还包括一个抽气隔离板放置于所述多个处理平台上,所述抽气隔离板具有多个与处理平台相对应的抽气隔离孔。
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