[发明专利]半导体工艺处理系统及其处理方法

权利要求书

1.一种半导体处理腔室，包括腔室顶盖和腔室基盘，所述处理腔室内设置有多个处理平台，其特征在于：所述处理腔室内部还包括一个抽气隔离板放置于所述多个处理平台上，所述抽气隔离板具有多个与处理平台相对应的抽气隔离孔。

2.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于：在半导体处理过程中，所述腔室顶盖和腔室基盘合在一起，于其内部形成一个密闭反应空间，所述抽气隔离板位于所述密闭反应空间内。

3.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述腔室顶盖上设置有凹陷部，所述凹陷部和所述多个抽气隔离孔在空间上相连通。

4.根据权利要求3所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述腔室顶盖的凹陷部上设置有若干个与每一个抽气隔离孔相对应的凸起的喷淋头，在所述抽气隔离板下方的腔室基盘中设置有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，在半导体工艺件处理过程中，喷淋头靠近抽气隔离板的抽气隔离孔并向放置于加热基座上的半导体工艺件喷射反应气体，反应气体再从喷淋头与抽气隔离孔间的间隙排出而流入至凹陷部。

5.根据权利要求4所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述的腔室顶盖上的凹陷部周边设有与凹陷部相连通的延伸部。

6.根据权利要求5所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述的抽气隔离板周围还设置有与所述延伸部相连通的排气口。

7.根据权利要求6所述的半导体处理腔室，其特征在于：在腔室基盘上设有至少一个用于排气的排气槽，且排气槽与抽气隔离板的排气口相连通。

8.根据权利要求7所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述的腔室基盘底部设有与所述排气槽相通的排气通道，所述排气通道与排气装置相连。

9.根据权利要求8所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述的处理腔室中气流流向为：反应气体由喷淋头送入每个处理平台，对放置在加热基座上的半导体工艺件进行处理，由于进气系统的气压以及排气装置对反应气体的抽取，反应气体从喷淋头与抽气隔离孔间的间隙中流出，进入腔室顶盖的凹陷部，并向凹陷部的延伸部流动，经抽气隔离板的周围的排气口流至腔室基盘的排气槽中，再通过与排气槽相通的排气通道进入排气装置。

10.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于：抽气隔离板的周围设有多个对称的排气口。

11.根据权利要求4所述的半导体处理腔室，其特征在于：加热基座周围设有向上喷射的惰性气体气幕，以防止微粒尘埃在加热基座下方沉积和薄膜生长。

12.根据权利要求1所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述抽气隔离孔的孔径上宽下窄。

13.一种半导体处理腔室，包括腔室顶盖和腔室基盘，所述处理腔室内设置有多个处理平台，其特征在于：还包括一个抽气隔离板放置在所述多个处理平台上，所述抽气隔离板具有多个与处理平台对应的抽气隔离孔，所述腔室顶盖上设置有多个与每一个抽气隔离孔相对应的凸起的喷淋头，在所述抽气隔离板下方的腔室基盘中设置有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，在半导体工艺件处理过程中，所述每一对应的凸起的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座共同作用使得各处理平台反应环境相互隔离。

14.根据权利要求13所述的半导体处理腔室，其特征在于：所述每一个对应的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座共同作用处理一片半导体工艺件。

15.根据权利要求13所述的半导体处理腔室，其特征在于：抽气隔离孔的周边设有若干个放射状槽，所述放射状的槽的分布为靠近抽气隔离板周边的一侧较靠近抽气隔离板中心的一侧疏。