[发明专利]p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710192050.4 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101215702A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李达;方晓东;邓赞红;陶汝华;董伟伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，是先按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；再将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1－xMxO2薄膜，0≤x≤0.25。制得的铜铁矿结构多晶CuCr1－xMxO2(0≤x≤0.25)薄膜具有较高的电导率和可见光透过率，实验结果具备可重复。 | ||
| 搜索关键词： | 铁矿 结构 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于是按以下步骤完成的：(a)按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；(b)将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；(c)用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1-xMxO2薄膜，0≤x≤0.25。
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