[发明专利]p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 200710192050.4 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101215702A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 李达;方晓东;邓赞红;陶汝华;董伟伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | C23C24/10 | 分类号： | C23C24/10 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 | 代理人： | 余成俊 |
| 地址： | 230031安徽省合*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铁矿 结构 透明 导电 氧化物 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于是按以下步骤完成的：
(a)按铜、铬和M的摩尔比为1∶(0.75～1)∶(0～0.25)，称量氧化亚铜、氧化铬及金属M的氧化物，将原料混合后球磨；
(b)将球磨之后的粉末压坯，制备成复合靶材，靶材为常温制备未经高温烧结，氧化亚铜和氧化铬及M的氧化物未发生化学反应；
(c)用得到的靶材通过脉冲激光沉积法在基板上沉积CuCr1-xMxO2薄膜，0≤x≤0.25。
2.根据权利要求1所述的p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所述的M指Mg、Ca、Ni元素。
3.根据权利要求1所述的p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所述的沉积CuCr1-xMxO2薄膜的技术条件为：激光频率1-20HZ，激光能量密度1-10J/cm2，本底真空10-3-10-6Pa，氧压1×10-2～30Pa，基板温度400-1000K，基板与靶材的距离20～70mm。
4.根据权利要求1所述的p型铜铁矿结构透明导电氧化物薄膜的制备方法，其特征在于所用的基板为Al2O3(0 0 /)、石英或Si片。
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