[发明专利]半导体光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710187057.7 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101267009A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 花卷吉彦;小野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体光元件的制造方法，目的在于提供一种工作时的元件电阻值与设计值一致的半导体光元件。具有如下步骤：形成掺杂有杂质的作为第一导电型的BDR(Band Discontinuity reduction)层的BDR层形成步骤；接触层形成步骤，在生长BDR层后，与BDR层接触地形成第一导电型的接触层，该接触层用于形成电极并掺杂有与所述杂质相同的杂质；用于在接触层形成步骤后进行热处理的热处理步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体光元件的制造方法，具有如下步骤：BDR层形成步骤，用于形成掺杂有第一杂质的第一导电型的BDR层；接触层形成步骤，在生长所述BDR层后，与所述BDR层接触地形成第一导电型的接触层，该接触层用于形成电极并掺杂有所述第一杂质和第二杂质；热处理步骤，用于在所述接触层形成步骤后进行热处理。
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