[发明专利]半导体光元件的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光元件的制造方法，特别涉及对工作时的元件电阻值与设计值一致的半导体光元件进行制造的方法。

背景技术

半导体激光器被广泛应用于光盘驱动器、扫描仪或复印机等中。作为这样的半导体激光器，提出了在特开平11-307810号公报中记述的半导体激光器。该半导体激光器的特征为以下两点。第一点是：在接触层和覆盖层之间引入具有二者的中间的带隙的中间带隙层(以下称为BDR(Band Discontinuity Reduction)层)，谋求利用能带不连续缓和所导致的元件电阻下降。第二点是：向接触层掺杂C，降低接触层与电极之间的接触电阻。

专利文献1特开2005-85848号公报

专利文献2特开平10-308551号公报

专利文献3特开2001-144322号公报

专利文献4特开平11-307810号公报

在所述现有的半导体激光器中，掺杂在BDR层中的杂质向接触层进行热扩散。该热扩散是由接触层的生长时及生长后的热处理引起的。由于由热扩散所导致的BDR层的杂质密度下降，半导体光元件工作时的元件电阻值上升。其结果是，存在工作时的元件电阻与设计值不一致的问题。

发明内容

本发明是为了解决所述的课题而进行的，其目的在于提供一种通过抑制从BDR层针对接触层的杂质扩散而使工作时的元件电阻值与设计值一致的半导体光元件。

本发明的特征在于，具有如下步骤：用于形成掺杂有杂质的第一导电型的BDR(Band Discontinuity Reduction)层的BDR层形成步骤；接触层形成步骤，在所述BDR层生长后，与所述BDR层接触地形成第一导电型的接触层，该接触层用于形成电极并掺杂有与所述杂质相同的杂质；热处理步骤，用于在所述接触层形成步骤后进行热处理。

利用本发明能够使工作时的元件电阻与设计值一致。

附图说明

图1是用于说明关于本发明的实施方式1的半导体光元件的外观的图。

图2是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以775-785nm左右的波长进行振荡并将Zn用作p型掺杂剂的情况的图。

图3是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件的制造方法的一部分的图。

图4是用于说明与本发明的实施方式1的比较例的图。

图5是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以775-785nm左右的波长进行振荡并将Mg用作p型掺杂剂的情况的图。

图6是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以775-785nm左右的波长进行振荡并将Be用作p型掺杂剂的情况的图。

图7是表示脊形波导激光器的外观的图。

图8是表示具有电流狭窄结构的嵌入型激光器的外观的图。

图9是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以1250-1580nm左右的波长进行振荡并将Be用作p型掺杂剂的情况的图。

图10是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以1250-1580nm左右的波长进行振荡并将Zn用作p型掺杂剂的情况的图。

图11是用于说明本发明的实施方式1的半导体光元件以1250-1580nm左右的波长进行振荡并将Mg用作p型掺杂剂的情况的图。

具体实施方式

实施方式1

图1是用于说明本实施方式的半导体激光器的结构的图。赋予图1各层的标号与图2所示的图表的左端的标号一致。在图2中，记载有各层的名称、材料、掺杂剂、载流子浓度、厚度的信息。下面对各层进行说明。

首先，在GaAs衬底1上形成缓冲层2，该缓冲层2由掺杂有作为n型掺杂剂的Si的Si-GaAs构成。其次，同样地形成由掺杂有Si的Si-InGaP构成的覆盖层3。接下来同样地形成由掺杂有Si的Si-AlGaAs构成的覆盖层4。此处，缓冲层是为了提高衬底上的元件的结晶性而形成的。覆盖层主要起到提高引导层与量子阱层的载流子的密度、和活性层的光的关闭的功能。此外，用作掺杂剂的Si即使是Te、Se等，本发明的效果也不改变。其次，形成由未对掺杂剂进行掺杂的AlGaAs构成的引导层5。接下来，同样地形成由未对掺杂剂进行掺杂的AlGaAs构成的阱层6。接下来同样地堆积由未对掺杂剂进行掺杂的AlGaAs构成的引导层7。此处，阱层是利用载流子复合来发光的层。此外，引导层主要是用于将所述的光关闭在活性层内的层。