[发明专利]半导体光元件的制造方法无效
| 申请号： | 200710187057.7 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101267009A | 公开（公告）日： | 2008-09-17 |
| 发明（设计）人： | 花卷吉彦;小野健一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体光元件的制造方法，具有如下步骤：
BDR层形成步骤，用于形成掺杂有第一杂质的第一导电型的BDR层；
接触层形成步骤，在生长所述BDR层后，与所述BDR层接触地形成第一导电型的接触层，该接触层用于形成电极并掺杂有所述第一杂质和第二杂质；
热处理步骤，用于在所述接触层形成步骤后进行热处理。
2.如权利要求1的半导体光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一导电型是p型；
所述第一杂质是Mg、Be、Zn中的任意一种杂质；
所述接触层是GaAs；
所述BDR层是InGaP。
3.如权利要求1的半导体光元件的制造方法，其特征在于，
所述第一导电型是p型；
所述第一杂质是Mg、Be、Zn中的任意一种杂质；
所述接触层是InGaAs；
所述BDR层是InGaAsP。
4.如权利要求1到3的任意一项的半导体光元件的制造方法，其特征在于，
所述第二杂质是C。
5.如权利要求4的半导体光元件的制造方法，其特征在于，
作为所述第二杂质的C是利用固有掺杂剂引入法进行掺杂的。
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