[发明专利]一种半导体器件无效
| 申请号： | 200710186578.0 | 申请日： | 2005-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN101188229A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 福造幸雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/00 | 分类号： | H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/49 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 关兆辉;陆锦华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种三维半导体封装。在该三维半导体封装中，逻辑电路芯片(36；60；90；118；144；172；178B)具有在其上表面上形成的多个上电极引脚，并且间隔芯片(44；70；98；126；152；180A；180B)贴装逻辑电路芯片上。间隔芯片具有形成在其下表面上的多个下电极引脚，和形成在其上表面上并且电气连接到其各下电极引脚的多个上电极引脚。进行在逻辑电路芯片上贴装间隔芯片，从而使间隔芯片的下电极引脚结合到逻辑电路芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。存储芯片(42；68；96；124；150A；178A；178C)贴装在间隔芯片上，并且具有形成在其表面上的多个电极引脚。进行在间隔芯片上贴装存储芯片，从而使存储芯片的电极引脚结合到间隔芯片的上电极引脚，以由此在其间建立电气连接。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包含：第一半导体芯片，其具有第一电极引脚和周围电极焊盘；间隔芯片，其贴装在所述第一半导体芯片的上表面上，所述间隔芯片具有穿透所述间隔芯片的通路栓；第二半导体芯片，其贴装在所述间隔芯片的上表面上，所述间隔芯片具有第二电极引脚；以及电线，其连接到所述第一半导体芯片的所述周围电极焊盘，其中所述第一半导体芯片的所述第一电极引脚通过所述间隔芯片的所述通路栓电连接到所述第二半导体芯片的所述第二电极引脚，以及其中所述电线从所述第一半导体芯片向所述第二半导体芯片延伸并超出所述间隔芯片的所述上表面，以及所述电线从超出所述间隔芯片的所述上表面的点弯曲，以及所述电线相对于所述第一半导体芯片进一步向外延伸。
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