[发明专利]一种半导体器件无效

专利信息
申请号: 200710186578.0 申请日: 2005-01-31
公开(公告)号: CN101188229A 公开(公告)日: 2008-05-28
发明(设计)人: 福造幸雄 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/18;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/49
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 关兆辉;陆锦华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,其包含:

第一半导体芯片,其具有第一电极引脚和周围电极焊盘;

间隔芯片,其贴装在所述第一半导体芯片的上表面上,所述间隔芯片具有穿透所述间隔芯片的通路栓;

第二半导体芯片,其贴装在所述间隔芯片的上表面上,所述间隔芯片具有第二电极引脚;以及

电线,其连接到所述第一半导体芯片的所述周围电极焊盘,

其中所述第一半导体芯片的所述第一电极引脚通过所述间隔芯片的所述通路栓电连接到所述第二半导体芯片的所述第二电极引脚,以及

其中所述电线从所述第一半导体芯片向所述第二半导体芯片延伸并超出所述间隔芯片的所述上表面,以及所述电线从超出所述间隔芯片的所述上表面的点弯曲,以及所述电线相对于所述第一半导体芯片进一步向外延伸。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,进一步包括在其上贴装所述第一半导体芯片的布线板,其中所述周围电极焊盘通过所述电线电连接到所述布线板的电极引脚。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中所述第二半导体芯片的尺寸大于所述间隔芯片的尺寸,并且由于在所述第一半导体芯片和所述第二半导体芯片之间插入间隔芯片,所以确保了在所述间隔芯片上贴装所述第二半导体芯片而不会干扰所述电线。

4.根据权利要求1所述的半导体器件,还包含模制树脂封,其包围着所述第一半导体芯片、所述间隔芯片、所述第二半导体芯片以及所述第一和第二半导体芯片以及所述间隔芯片的电极引脚。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710186578.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top