[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

一种既能实现利用相变膜作为存储元件时的高集成化又可实现容易形成相变膜的半导体器件及其制造方法。在构成1个存储单元的区域AR1的MISFET和与其相邻的MISFET的2个MISFET之间，MISFET的各源极在半导体基板(1)的表面上绝缘地相邻。而且，在半导体基板(1)的表面的俯视图中，横跨在两MISFET的各源极以及插塞(Plug)(8)及插塞(7)上形成相变膜(10)和具有比其电阻率低的电阻率的导电膜(11)的叠层结构。此外，此叠层结构作为在半导体基板(1)的表面上平行地延伸的布线起作用，导电膜(11)使平行方向的电流在半导体基板(1)的表面上流动。

主权项

1.一种半导体器件，包括：具有表面的半导体基板；在上述半导体基板的上述表面的上方形成的、能够可逆地采用非晶质状态及结晶质状态的相变膜；和在上述半导体基板的上述表面的上方形成的、具有比上述相变膜的电阻率低的电阻率的导电膜，上述相变膜和上述导电膜构成叠层结构，上述叠层结构作为在上述半导体基板的上述表面上平行地延伸的布线起作用，上述导电膜使平行方向的电流在上述半导体基板的上述表面上流动。