[发明专利]高压半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710181427.6 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101170078A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 崔容建 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，更具体地说，一种高压半导体器件的制造方法。所述方法包括：形成半导体衬底，其具有用于对准键的键区、用于低压器件的低压区、以及用于高压器件的高压区；在所述衬底上形成氧化物膜；在所述氧化物膜上形成绝缘膜。所述方法包括，在除去所述绝缘膜之后，在所述衬底的各区中形成多个浅沟槽隔离；在所述衬底和STI上形成氮化物层；通过将杂质离子注入所述高压区顺序形成多个阱和漂移区；并且通过将杂质离子注入所述低压区顺序形成多个阱和漂移区。由此即可简化片上系统的工艺。本发明能够简化高压半导体器件的制造工艺，提供具有高度可靠性的高压器件。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高压半导体器件的制造方法，包括以下步骤：形成半导体衬底，将所述衬底定义成用于对准键的键区、用于低压器件的低压区、以及用于高压器件的高压区；在所述衬底上形成氧化物膜；在所述氧化物膜上形成绝缘膜；在除去所述绝缘膜之后，在所述衬底的上述区中形成多个浅沟槽隔离；在所述衬底上和所述多个浅沟槽隔离上形成氮化物层；通过将杂质离子注入所述高压区，顺序形成多个阱和多个漂移区；以及通过将杂质离子注入所述低压区，顺序形成多个阱和多个漂移区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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