[发明专利]高压半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 200710181427.6 | 申请日： | 2007-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN101170078A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 崔容建 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/762;H01L21/265 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高压 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种高压半导体器件的制造方法，包括以下步骤：
形成半导体衬底，将所述衬底定义成用于对准键的键区、用于低压器件的低压区、以及用于高压器件的高压区；
在所述衬底上形成氧化物膜；
在所述氧化物膜上形成绝缘膜；
在除去所述绝缘膜之后，在所述衬底的上述区中形成多个浅沟槽隔离；
在所述衬底上和所述多个浅沟槽隔离上形成氮化物层；
通过将杂质离子注入所述高压区，顺序形成多个阱和多个漂移区；以及
通过将杂质离子注入所述低压区，顺序形成多个阱和多个漂移区。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述绝缘膜是以高温低压电介质材料和氮化硅基材料其中任一种制成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述多个浅沟槽隔离的内部形成有衬垫氧化物膜，所述衬垫氧化物膜连接到所述氧化物膜。
4.根据权利要求3所述的方法，其中形成所述衬垫氧化物膜，然后用氧化物填充和掩埋所述多个浅沟槽隔离。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮化物层是用原子层沉积法形成的。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述高压区中形成所述多个阱和漂移区的步骤包括：
通过离子注入工艺和高温退火工艺在所述高压区中形成N阱和P阱；及
在将杂质离子注入所述高压区中的所述衬底内之后，执行推进工艺将所述衬底在1100℃退火至少1小时。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述高压区形成有N阱和P阱，所述P阱形成有低浓度N漂移区并且所述N阱形成有低浓度P漂移区。
8.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述低压区中形成所述多个阱和漂移区的步骤包括：
通过离子注入在所述低压区中形成N阱和P阱；及
在将杂质离子注入所述低压区中的所述衬底内之后，执行推进工艺将所述衬底在1100℃退火至少1小时。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述低压区形成有N阱和P阱，所述P阱形成有低浓度N漂移区并且所述N阱形成有低浓度P漂移区。
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