[发明专利]对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法有效
| 申请号： | 200710180164.7 | 申请日： | 2007-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN101162610A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李镇旭;李真烨 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种用于生成编程电压的电路和方法以及使用该电路和方法的非易失性存储器件。生成用于编程半导体存储器件的存储单元的编程电压的电路包括编程电压控制器和电压生成单元。编程电压控制器根据编程/擦除操作信息生成编程电压控制信号。电压控制器响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 生成 编程 电压 电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生成非易失性存储器件中的编程电压的电路，该电路包括：编程电压控制器，根据该非易失性存储器件的编程/擦除操作信息，生成编程电压控制信号；和电压生成单元，响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。
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