[发明专利]对非易失性存储器件生成编程电压的电路和方法

权利要求书

1.一种用于生成非易失性存储器件中的编程电压的电路，该电路包括：

编程电压控制器，根据该非易失性存储器件的编程/擦除操作信息，生成编程电压控制信号；和

电压生成单元，响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。

2.如权利要求1所述的电路，其中，编程/擦除操作信息指示该非易失性存储器件内的存储单元已被编程或擦除的次数。

3.如权利要求1所述的电路，其中，电压生成单元使用递增阶跃脉冲编程方法生成编程电压。

4.如权利要求3所述的电路，其中，编程电压控制信号控制用于限定编程电压的起始电压和阶跃电压中的至少一个。

5.如权利要求4所述的电路，其中，电压控制器响应于编程电压控制信号，减少起始电压和阶跃电压中的至少一个。

6.如权利要求1所述的电路，其中，编程/擦除操作信息是外部提供的。

7.如权利要求2所述的电路，还包括计数器，对次数进行计数，并且生成编程/擦除操作信息作为计数结果。

8.一种非易失性半导体存储器件，包括：

用于生成非易失性存储器件中的编程电压的电路，其中该电路包括：

编程电压控制器，根据该非易失性存储器件的编程/擦除操作信息，生成编程电压控制信号；和

电压生成单元，响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。

9.一种生成编程电压的方法，该编程电压用于编程非易失性存储器件中的存储单元，该方法包括：

根据编程/擦除操作信息，生成编程电压控制信号；和

响应于该编程电压控制信号，生成编程电压。

10.如权利要求9所述的方法，其中，编程/擦除操作信息指示该存储单元已被编程或擦除的次数。

11.如权利要求9所述的方法，其中，编程电压是使用递增阶跃脉冲编程方法生成的。

12.如权利要求11所述的方法，其中，编程电压控制信号控制用于限定编程电压的起始电压和阶跃电压中的至少一个。

13.如权利要求12所述的方法，其中，响应于编程电压控制信号，减少起始电压和阶跃电压中的至少一个。

14.如权利要求9所述的方法，其中，编程/擦除操作信息是外部提供的。

15.如权利要求10所述的方法，还包括：

对该存储单元已被编程或擦除的次数进行计数，并且生成与计数相关的编程/擦除操作信息。

16.一种非易失性存储器件的编程方法，包括：

根据编程/擦除操作信息，生成编程电压控制信号；

响应于该编程电压控制信号，生成编程电压；和

将编程电压施加到非易失性存储器件中的存储单元。

17.如权利要求16所述的方法，其中，编程/擦除操作信息指示该存储单元已被编程或擦除的次数。

18.如权利要求16所述的方法，其中，编程电压是使用递增阶跃脉冲编程方法生成的。