[发明专利]一种振荡器及其设计方法有效
| 申请号： | 200710178885.4 | 申请日： | 2007-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN101202540A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 朱一明;胡洪 | 申请（专利权）人： | 北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K3/012 | 分类号： | H03K3/012;H03K3/03;H03K19/20;H03K5/13;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许静 |
| 地址： | 100084北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种振荡器及其设计方法，包括偏置模块、延时模块、转换模块、缓冲模块和输出模块，其中，偏置模块，用于根据输入信号产生偏置电流；延时模块，用于接收偏置模块产生的偏置电流，并根据该偏置电流产生预定周期的振荡信号；所述延时模块包括电流源子模块、可变电阻子模块和反相器子模块，通过电流源子模块控制延时模块的最大上拉电流和最大下拉电流，从而控制延时模块的功耗电流；通过可变电阻子模块控制延时模块的延时时间；通过反相器子模块调节延时模块的栅电容值，从而控制延时模块的功耗。转换模块通过减少直通电流进一步降低振荡器的功耗。本发明提供了一种设计简单、高效、应用范围广、尤其适用于低频应用的超低功耗的振荡器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 振荡器 及其 设计 方法 | ||
【主权项】：
1.一种振荡器，包括：偏置模块，包括P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，用于根据输入信号产生偏置电流；延时模块，用于根据所述偏置电流产生预定周期的振荡信号；其特征在于，所述延时模块包括电流源子模块和反相器子模块；所述电流源子模块包括第一电流源子模块、第二电流源子模块；第一电流源子模块、反相器子模块、第二电流源子模块顺序串接，其中，所述第一电流源子模块包括PMOS晶体管；所述第二电流源子模块包括NMOS晶体管；所述第一电流源子模块中的PMOS晶体管的尺寸与所述偏置模块中的PMOS晶体管的尺寸之间的比例为预定值，通过该预定值确定延时模块的上拉电流与偏置电流的比例值；所述第二电流源子模块中的NMOS晶体管的尺寸与所述偏置模块中的NMOS晶体管的尺寸之间的比例为预定值，通过该预定值确定延时模块的下拉电流与偏置电流的比例值。
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