[发明专利]一种振荡器及其设计方法

权利要求书

1.一种振荡器，包括：

偏置模块，包括P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和N型金属氧化物半导体NMOS晶体管，用于根据输入信号产生偏置电流；

延时模块，用于根据所述偏置电流产生预定周期的振荡信号；

其特征在于，所述延时模块包括电流源子模块和反相器子模块；所述电流源子模块包括第一电流源子模块、第二电流源子模块；

第一电流源子模块、反相器子模块、第二电流源子模块顺序串接，其中，

所述第一电流源子模块包括PMOS晶体管；

所述第二电流源子模块包括NMOS晶体管；

所述第一电流源子模块中的PMOS晶体管的尺寸与所述偏置模块中的PMOS晶体管的尺寸之间的比例为预定值，通过该预定值确定延时模块的上拉电流与偏置电流的比例值；

所述第二电流源子模块中的NMOS晶体管的尺寸与所述偏置模块中的NMOS晶体管的尺寸之间的比例为预定值，通过该预定值确定延时模块的下拉电流与偏置电流的比例值。

2.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述上拉电流与所述下拉电流为确定延时模块的功耗电流的参数之一。

3.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述延时模块还包括可变电阻子模块，所述可变电阻子模块包括：第一可变电阻子模块和第二可变电阻子模块，

所述第一可变电阻子模块包括PMOS晶体管，所述第二可变电阻子模块包括NMOS晶体管；

所述第一可变电阻子模块中的PMOS晶体管与第二可变电阻子模块中的NMOS晶体管的沟道长度为预定值，该预定值控制延时模块的延时时间。

4.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，

所述反相器子模块包括PMOS晶体管和NMOS晶体管，其中，

所述反相器子模块中的PMOS晶体管与NMOS晶体管的沟道长度和宽度为预定值，该预定值确定延时模块的栅电容值；

所述延时单元的电容值为确定延时模块功耗的参数之一。

5.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，还包括：

转换模块，用于对延时模块产生的多个振荡信号进行合成，并将合成后的振荡信号输出。

6.根据权利要求5所述的振荡器，其特征在于，所述转换模块可包括多级转换单元，转换单元包括串联连接的PMOS晶体管与串联连接的NMOS晶体管。

7.根据权利要求5或6所述的振荡器，其特征在于，

所述转换后的振荡信号的跳变时间小于延时模块产生的振荡信号的跳变时间。

8.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，还包括：

缓冲模块，用于对振荡信号进行整形，并将整形后的振荡信号输出。

9.根据权利要求8所述的振荡器，其特征在于，

所述缓冲模块包括多级缓冲单元，缓冲单元包括串联连接的PMOS晶体管与串联连接的NMOS晶体管。

10.根据权利要求8或9所述的振荡器，其特征在于，所述整形后的振荡信号为时钟信号。

11.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，还包括：

输出模块，用于输出振荡信号。

12.根据权利要求11所述的振荡器，其特征在于，

所述输出模块包括多级输出单元，输出单元包括串联连接的PMOS晶体管与串联连接的NMOS晶体管。

13.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述偏置模块还包括电容，用于稳定振荡器中的电流。

14.根据权利要求1所述的振荡器，其特征在于，所述输入信号为电流信号或电压信号。