[发明专利]一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法有效
| 申请号： | 200710177250.2 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101170074A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 裴云鹏;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，属于场效应晶体管MOSFET技术领域。该方法首先定义场效应晶体管器件的隔离区，并在该隔离区域刻蚀一个沟槽；然后，在所述沟槽内壁上淀积一绝缘介质层；最后淀积半导体材料填充上述沟槽。采用本发明可使场效应晶体管隔离结构的氧化层厚度大约是传统STI结构的1/15，由于辐照产生的电荷数与氧化层的厚度成正比，辐照产生的电荷数约是传统STI的1/15，因此，本发明可有效改善超深亚微米场效应晶体管MOSFET器件的抗辐照性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 超深亚 微米 mosfet 辐照 特性 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其步骤包括：1)定义场效应晶体管器件的隔离区，在该隔离区域刻蚀一个沟槽；2)在所述沟槽内壁上淀积绝缘介质层；3)淀积半导体材料填充上述沟槽。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710177250.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用户线路和用户电路测试系统及测试方法
- 下一篇：一种数据重发的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
