[发明专利]一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法

权利要求书

1.一种提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其步骤包括：

1)定义场效应晶体管器件的隔离区，在该隔离区域刻蚀一个沟槽；

2)在所述沟槽内壁上淀积绝缘介质层；

3)淀积半导体材料填充上述沟槽。

2.如权利要求1所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：在所述半导体材料内掺杂杂质，即对于NMOSFET，掺入P型杂质；对于PMOSFET，掺入N型杂质。

3.如权利要求2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：上述杂质的量的范围为5e16cm^-3-1e19cm^-3。

4.如权利要求1或2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：所述绝缘介质层为二氧化硅、SiO_xN_y、Al₂O₃、HfO₂、或其它高K材料。

5.如权利要求4所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：所述绝缘介质层的厚度范围为10nm-40nm。

6.如权利要求1或2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：所述半导体材料为多晶硅、硅或锗。

7.如权利要求1或2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：在所述隔离区下方掺入与衬底掺杂类型相同的高浓度杂质。

8.如权利要求1或2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：步骤3之后，化学机械抛光去掉高于绝缘介质层的半导体材料，使得隔离区的表面变得平坦。

9.如权利要求1或2所述的提高超深亚微米MOSFET抗辐照特性的方法，其特征在于：步骤3之后，在氯气气氛中通过RIE刻蚀来调整多晶硅的高度，去掉高于绝缘介质层的多晶硅材料。