[发明专利]一种容错存储器及其纠错容错方法有效
| 申请号： | 200710176138.7 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101414489A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 王达;胡瑜;李华伟;李晓维 | 申请（专利权）人： | 中国科学院计算技术研究所 |
| 主分类号： | G11C29/24 | 分类号： | G11C29/24;G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王 勇 |
| 地址： | 100080北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种容错存储器及其纠错容错方法，其中的容错存储器包括：第1层存储器阵列、第1层译码逻辑、公有冗余行、公有冗余列和第1层存储器纠错容错电路，所述第1层存储器阵列由若干个第0层存储器组成；所述第0层存储器包括第0层存储器阵列、第0层译码逻辑、私有冗余行、私有冗余列和第0层存储器纠错容错电路；所述第0层存储器阵列由若干个存储器字组成。其纠错容错方法是首先利用第0层的私有冗余行和冗余列对故障进行替换，如无法替换，则利用第1层的公有冗余行和冗余列对故障进行替换。本发明的优点包括：降低了存储器对测试和修复仪器的依赖，降低了存储器的成本；本发明具有良好的修复效率，提高了存储器的成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 容错 存储器 及其 纠错 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种容错存储器，包括：第1层存储器阵列、第1层译码逻辑、公有冗余行、公有冗余列和第1层存储器纠错容错电路，所述第1层存储器阵列由若干个第0层存储器组成；所述第0层存储器包括第0层存储器阵列、第0层译码逻辑、私有冗余行、私有冗余列和第0层存储器纠错容错电路；所述第0层存储器阵列由若干个存储器字组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院计算技术研究所，未经中国科学院计算技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710176138.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种超微漆包铜圆线的生产工艺
- 下一篇：模糊音输入方法及装置
