[发明专利]FFS反透过型阵列基板及制造方法

摘要

本发明涉及一种FFS反透过型阵列基板及制造方法，其中FFS反透过型阵列基板制造方法包括：在玻璃基板上沉积透明电极层，在反射区域形成透明电极图案；刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；依次形成栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、源漏电极、像素电极、钝化层、公共电极；FFS反透过型阵列基板包括玻璃基板和阵列结构，玻璃基板设置有反射区域和透射区域，玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。本发明使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量，同时提高了反射率。

主权项

1、一种FFS反透过型阵列基板制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。