[发明专利]FFS反透过型阵列基板及制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种FFS(Fringe Field Switching)透射反射型阵列基板及制造方法，尤其涉及一种在玻璃基板位于反射区域的表面上形成压花的透射反射型阵列基板及制造方法，属于电子设备制造领域。

背景技术

为了获得较宽的视角，提高室外环境中阵列基板的可读性，现有的透射反射型阵列基板通过以下方法来获得最大化的反射率：

如图1所示，为现有技术中FFS透射反射型阵列基板的结构示意图，在玻璃基板10上依次形成栅极和栅线11、栅绝缘层12、有源层13、树脂层14、像素电极15、源漏电极16、反射板17、钝化层18、公共电极19，其中形成树脂层14具体为：在反射区域施涂光敏树脂，对光敏树脂进行刻蚀形成具有微凹凸压花的树脂层14；树脂层14和反射板17共同作用使得透射反射型阵列基板获得反射率。

上述现有技术中FFS透射反射型阵列基板获得反射率的方法具有以下缺点：

(1)相比于现有的透射型阵列基板，透射反射型阵列基板需要增加施涂光敏树脂、压花以及形成反射板17等若干掩膜工艺，因此该透射反射型阵列基板的制造方法需要7层掩膜工艺和7个掩膜版，工艺较复杂，成本较高，导致产量低下；

(2)透射反射型阵列基板利用树脂层形成压花，因为光敏树脂的性能受工程环境影响较大，最终形成的压花与理想的压花结构存在误差，影响了反射率。

发明内容

本发明的目的在于提供一种FFS透射反射型阵列基板及制造方法，能够提高反射率，相比于现有技术，能减少掩膜工艺，并使工艺更加简单，从而减少成本，提高产量。

本发明提供的FFS透射反射型阵列基板制造方法包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；

步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；

步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；

步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。

本发明提供的FFS透射反射型阵列基板包括：玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的阵列结构，所述玻璃基板设置有反射区域和透射区域，所述玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。

本发明提供的FFS透射反射型阵列基板及制造方法，通过刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花，减少了施涂光敏树脂、压花以及形成反射板等若干个掩膜工艺，使得工艺更加简单，减少了成本，提高了产量；同时，由于在玻璃基板上形成的压花受工程环境的影响较小，使得形成的压花与理想的压花结构的误差很小，从而提高了反射率。

附图说明

图1为现有技术中FFS透射反射型阵列基板的结构示意图；

图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例流程图；

图3A为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀前的示意图；

图3B为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀中的示意图；

图3C为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例中玻璃基板刻蚀后的示意图；

图4为本发明FFS透射反射型阵列基板一具体实施例的结构示意图。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

图2为本发明FFS透射反射型阵列基板制造方法一具体实施例的流程图，图4为利用图2所示的方法制造出的FFS透射反射型阵列基板的结构示意图。如图2所示，FFS透射反射型阵列基板制造方法执行以下步骤：

步骤101、在玻璃基板40上沉积透明电极层，通过第一次掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案31，如图3A所示，为本实施例玻璃基板刻蚀前的示意图，透明电极图案31的厚度可以为40-100皮米，长度为3-10微米；