[发明专利]FFS反透过型阵列基板及制造方法

权利要求书

1.一种FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，包括：

步骤1、在玻璃基板上沉积透明电极层，通过掩膜工艺在反射区域形成透明电极图案；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，同时刻蚀透明电极图案和玻璃基板，在玻璃基板上形成压花；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅极和栅线；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成栅绝缘层和有源层；

步骤5、在完成步骤4的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成源漏电极；

步骤6、在完成步骤5的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成像素电极；

步骤7、在完成步骤6的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成钝化层；

步骤8、在完成步骤7的玻璃基板上，通过掩膜工艺形成公共电极。

2.根据权利要求1所述的FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，所述步骤1和步骤8中所述掩膜工艺均采用制作梳齿状电极的掩膜版。

3.根据权利要求1或2所述的FFS透射反射型阵列基板制造方法，其特征在于，在所述步骤5中形成源漏电极的同时，在所述反射区域形成反射电极。

4.一种FFS透射反射型阵列基板，包括玻璃基板和在所述玻璃基板上形成的阵列结构，所述玻璃基板设置有反射区域和透射区域，其特征在于，所述玻璃基板位于反射区域的表面上形成有起反射作用的压花。

5.根据权利要求4所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述压花由数个连续的凹谷组成。

6.根据权利要求5所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述凹谷的深度小于1微米。

7.根据权利要求4-6任一所述的FFS透射反射型阵列基板，其特征在于，所述阵列结构包括：栅极、栅线、栅绝缘层、有源层、源漏电极、像素电极、钝化层以及公共电极。