[发明专利]一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法

摘要

本发明提供一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，该方法包括氮化钛沉积的步骤；该方法氮化钛在沉积过程中分为厚度均等的N层，但总厚度保持与现有技术中氮化钛应有的厚度不变，分别针对每层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击，N大于等于2。本发明揭示的在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，通过把沉积氮化钛分为多层分别沉积，并分别用电浆轰击；由于每层的氮化钛较薄，因而可以更有效地除去有机物、碳、氧、氢等不纯物质，从而可以在保障底层器件不被更大损伤的基础上降低接触电阻。

主权项

1、一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，该方法包括氮化钛沉积的步骤；其特征在于，该方法氮化钛在沉积过程中分为N层，分别针对每层氮化钛层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击，N大于等于2；所述方法包括以下步骤：A、提供第一层氮化钛层；B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质；D、提供第二层氮化钛层，按照步骤B及C的方法对该第二层氮化钛层进行沉积及沉积后的驱除杂质过程；E、按照步骤D的方法，依次提供并处理各层氮化钛层，直至完成第N层的沉积及除杂。