[发明专利]一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法无效
| 申请号： | 200710170622.9 | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442021A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡宇慧;苏娜;陈国海;杨瑞鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/321 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 有机化学 沉积 降低 接触 电阻 方法 | ||
1、一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，该方法包括氮化钛沉积的步骤；其特征在于，
该方法氮化钛在沉积过程中分为N层，分别针对每层氮化钛层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击，N大于等于2；
所述方法包括以下步骤：
A、提供第一层氮化钛层；
B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；
C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质；
D、提供第二层氮化钛层，按照步骤B及C的方法对该第二层氮化钛层进行沉积及沉积后的驱除杂质过程；
E、按照步骤D的方法，依次提供并处理各层氮化钛层，直至完成第N层的沉积及除杂。
2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤C中驱除氮化钛层杂质的时间与氮化钛层的厚度成正比。
3、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N层氮化钛层每层的厚度相当。
4、如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述步骤C中，设各层氮化钛层总厚度所需处理时间为T，驱除氮化钛层中的杂质的时间在[1/N＊T＊0.8，1/N＊T＊1.2]的区间内。
5、如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述步骤C中，驱除氮化钛层中的杂质的时间为1/N＊T。
6、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N小于5。
7、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述N为2。
8、如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
A、提供第一层氮化钛层；
B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；
C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质；
D、提供第二层氮化钛层；
E、针对上述第二层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；
F、用电浆对步骤E中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质。
9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一层氮化钛层与所述第二层氮化钛层厚度相当。
10、如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述步骤C及步骤F中，用电浆对各层沉积后的氮化钛层处理的时间相当，为各层氮化钛层总厚度所需时间的1/2。
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