[发明专利]一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法

说明书

技术领域

本发明属于芯片制造领域，涉及金属有机化学气相沉积工艺，尤其涉及一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法。

背景技术

微芯片加工是一个平面的过程，这一过程包含在硅片表面生长不同膜层的步骤。通过沉积工艺可以完成在硅片表面生长薄膜。导电薄膜层和绝缘薄膜层对于能否在硅衬底上成功制作出半导体器件而言是至关重要的，成膜技术被用来加工电路，主要用隔离绝缘介质层之间所夹的金属导电层连接不同的IC器件。

在制造工艺中，有多种不同类型的膜沉积到硅片上。在某些情况下，有些膜成为器件结构中的一个完整部分；另外一些膜则充当了工艺过程中的牺牲层，并且在后续工艺中被去掉。

金属有机化学气相沉积(MOCVD)是沉积工艺中的一个重要组成部分。现有的MOCVD工艺中，主要包括以下步骤：

(1)提供氮化钛(TiN)层；

(2)针对上述氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；

(3)用电浆对步骤(2)中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该氮化钛层中的杂质。

上述工艺会出现接触电阻(即钨线连接金属导线与底层器件的电阻)偏大的问题，这是由于在上述步骤(3)中电浆对氮化钛层的轰击不够彻底，氮化钛层中会含有有机物、碳、氧、氢等不纯物质。解决该问题的一个方法是延长轰击时间，但过长时间的电浆轰击又会造成对下层器件的损伤。

发明内容

本发明的目的是提供一种在化学气相沉积过程中可以更加有效地降低接触电阻的方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，该方法包括氮化钛沉积的步骤；该方法氮化钛在沉积过程中分为N层，分别针对每层氮化钛层进行金属有机化学气相沉积并用电浆轰击，N大于等于2；

所述方法包括以下步骤：

A、提供第一层氮化钛层；

B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；

C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质；

D、提供第二层氮化钛层，按照步骤B及C的方法对该第二层氮化钛层进行沉积及沉积后的驱除杂质过程；

E、按照步骤D的方法，依次提供并处理各层氮化钛层，直至完成第N层的沉积及除杂。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤C中驱除氮化钛层杂质的时间与氮化钛层的厚度成正比。

作为本发明的一种优选方案，所述N层氮化钛层每层的厚度相当。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤C中，设各层氮化钛层总厚度所需处理时间为T，驱除氮化钛层中的杂质的时间在[1/N＊T＊0.8，1/N＊T＊1.2]的区间内。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤C中，驱除氮化钛层中的杂质的时间为1/N＊T。

作为本发明的一种优选方案，所述N小于5。

作为本发明的一种优选方案，所述N为2。

作为本发明的一种优选方案，所述方法包括以下步骤：

A、提供第一层氮化钛层；

B、针对上述第一层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；

C、用电浆对步骤B中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质；

D、提供第二层氮化钛层；

E、针对上述第二层氮化钛层进行氮化钛金属有机化学气相沉积；

F、用电浆对步骤E中沉积后的氮化钛层轰击，驱除该层氮化钛层中的杂质。

作为本发明的一种优选方案，所述第一层氮化钛层与所述第二层氮化钛层厚度相当。

作为本发明的一种优选方案，所述步骤C及步骤F中，用电浆对各层沉积后的氮化钛层处理的时间相当，为各层氮化钛层总厚度所需时间的1/2。

与现有技术相比，本发明揭示的在金属有机化学气相沉积中降低接触电阻的方法，通过把沉积氮化钛分为多层分别沉积，并分别用电浆轰击；由于每层的氮化钛较薄，因而可以更有效地除去有机物、碳、氧、氢等不纯物质，从而可以在保障底层器件不被更大损伤的基础上降低接触电阻。

附图说明

图1是实施例一中本发明方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图及实施例对本发明做具体介绍。