[发明专利]半导体封装件及其制法有效
申请号: | 200710169548.9 | 申请日: | 2007-11-09 |
公开(公告)号: | CN101431031A | 公开(公告)日: | 2009-05-13 |
发明(设计)人: | 李春源;黄建屏;赖裕庭;萧承旭;柯俊吉 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/31 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 戈 泊 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种半导体封装件及其制法,在一金属载具上敷设一第一阻层,并于第一阻层中开设多个贯穿的开口,以于开口中形成导电金属层,接着移除第一阻层,并于金属载具上具导电金属层的一侧覆盖一介电层,且令介电层形成有盲孔以露出部分导电金属层,再于介电层上形成导电线路及于盲孔中形成导电柱,以使导电线路通过导电柱而电性连接至导电金属层,从而供导电线路及导电金属层利用导电柱与介电层有效接合,避免脱层问题,再者介电层中仅形成小尺寸的盲孔,以避免现有技术形成大尺寸开口所造成制程不便及成本增加问题,之后将至少一芯片电性连接至导电线路,且形成一包覆芯片及导电线路的封装胶体,及移除金属载具,进而形成不需芯片承载件的半导体封装件。 | ||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制法 | ||
【主权项】:
1、一种半导体封装件的制法,包括:敷设第一阻层于一金属载具上,并于该第一阻层的预定部位开设多个贯穿的开口,以外露出该金属载具;于该开口中形成导电金属层;移除该第一阻层,并于该金属载具上形成有导电金属层的一侧覆盖一介电层,且令该介电层形成有盲孔以露出部分导电金属层;于该介电层上形成导电线路及于该盲孔中形成导电柱,并使该导电线路通过该导电柱而电性连接至该导电金属层;将至少一芯片电性连接至该导电线路;形成一封装胶体以包覆该芯片及导电线路;以及移除该金属载具,藉以外露出该介电层及导电金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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