[发明专利]半导体封装件及其制法

权利要求书

1.一种半导体封装件的制法，包括：

敷设第一阻层于一金属载具上，并于该第一阻层的预定部位开设多个贯穿的开口，以外露出该金属载具；

于该开口中形成导电金属层，该导电金属层包括有对应芯片位置的芯片座及供芯片与外部装置电性连接的电性连接终端；

移除该第一阻层，并于该金属载具上形成该导电金属层的一侧覆盖一介电层，且令该介电层形成有盲孔以露出部分导电金属层；

于该介电层上形成导电线路及于该盲孔中形成导电柱，并使该导电线路通过该导电柱而电性连接至该导电金属层；

将至少一芯片接置于对应该芯片座的该导电线路表面上，且通过焊线电性连接至对应该电性连接终端的该导电线路；

形成一封装胶体以包覆该芯片及导电线路；以及

移除该金属载具，藉以外露出该介电层及导电金属层。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该第一阻层为光阻层，并通过曝光、显影的方式使该第一阻层形成有外露出部分该金属载具的贯穿开口。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该导电金属层的材料为金/镍/铜、镍/金、金/镍/金、金/镍/钯/金、金/钯/镍/钯的其中一者。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该介电层为玻纤浸树脂及ABF的其中一者，且利用激光开孔技术以于该介电层中形成多个盲孔。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该导电线路及导电柱的制法包括：

以无电解电镀方式于该介电层及外露于盲孔的导电金属层上形成一导电层；

以一第二阻层覆盖该导电层，并形成有多个图案化的开口；

通过电镀制程，以于外露出该第二阻层开口的导电层上形成导电线路及于该盲孔中形成导电柱，并使该导电线路通过该导电柱而电性连接至该导电金属层；以及

移除该第二阻层及其所覆盖的导电层部分。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该导电线路的终端复形成有焊接材料，且该芯片通过焊线电性连接至该导电线路终端的焊接材料。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，于形成该导电金属层前，先于第一阻层开口中形成与金属载具相同材料的镀层，以于移除该金属载具时，同时移除该镀层，藉以使该导电金属层内凹于该介电层中。

8.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，还包括于外露出介电层的导电金属层上接置导电元件。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件的制法，其中，该导电金属层的材料与金属载具的材料相同，以于蚀刻移除该金属载具时，同时蚀刻部分该导电金属层，并控制该导电金属层的蚀刻量，以使该导电金属层内凹于介电层中。

10.一种半导体封装件，包括：

导电金属层，包括有对应芯片位置的芯片座及供芯片与外部装置电性连接的电性连接终端；

介电层，覆盖该导电金属层的一侧，其中该介电层形成有盲孔以外露出部分该导电金属层；

导电线路，形成于该介电层上；

导电柱，形成于该盲孔中，并使该导电线路通过该导电柱而电性连接至该导电金属层；

芯片，接置于对应该芯片座的该导电线路表面上；

焊线，电性连接芯片与对应该电性连接终端的该导电线路；以及

封装胶体，包覆该芯片及导电线路。

11.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，该导电金属层的材料为金/镍/铜、镍/金、金/镍/金、金/镍/钯/金、金/钯/镍/钯的其中一者。

12.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，该介电层为玻纤浸树脂及ABF的其中一者，且利用激光开孔技术以于该介电层中形成多个盲孔。

13.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，该导电线路的终端复形成有焊接材料，且该芯片通过焊线电性连接至该导电线路终端的焊接材料。

14.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，该导电金属层内凹于该介电层中。

15.根据权利要求10所述的半导体封装件，还包括于外露出介电层的导电金属层上接置有导电元件。

16.根据权利要求10所述的半导体封装件，其中，该导电线路与该介电层间及该导电柱与该盲孔间复包含有一导电层。