[发明专利]互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法

摘要

本发明提供一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装结构，包括：一个具有上表面及下表面的载板，载板的上表面配置有图案化的金属层；一个互补式金属氧化物半导体感测芯片，其主动面上配置有多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在主动面的外围附近上，且每一焊盘与部份的图案化金属层电性连接；多个电性连接组件，设置在部份图案化金属层之上并形成电性连接；封胶体，包覆载板的上表面、电性连接组件及互补式金属氧化物半导体感测装置；及多个导电组件，形成在这些连接组件之上。本发明的新的CMOS传感器封装工艺及其结构，可以有效减少封装的时间并可有效地提升CMOS传感器的可靠度。

主权项

1. 一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装结构，包括：载板，具有上表面及下表面；图案化的金属层，设置于所述载板的所述上表面之上，且暴露出所述金属层；互补式金属氧化物半导体感测芯片，其主动面上配置有复多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在所述主动面的外围附近上，这些焊盘电性连接于部份所述图案化金属层之上；多个电性连接组件，设置在部份所述图案化金属层之上并形成电性连接；封胶体，包覆所述载板的所述上表面、这些电性连接组件及所述互补式金属氧化物半导体感测装置；及多个导电组件，形成在这些连接组件之上。