[发明专利]互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200710164375.1 申请日: 2007-10-30
公开(公告)号: CN101425523A 公开(公告)日: 2009-05-06
发明(设计)人: 叶秀慧 申请(专利权)人: 叶秀慧
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;李丙林
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 互补 金属 氧化物 半导体 传感器 封装 组件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装结构,包括:

载板,具有上表面及下表面;

图案化的金属层,设置于所述载板的所述上表面之上,且暴露出所述金属层;

互补式金属氧化物半导体感测芯片,其主动面上配置有复多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在所述主动面的外围附近上,这些焊盘电性连接于部份所述图案化金属层之上;

多个电性连接组件,设置在部份所述图案化金属层之上并形成电性连接;

封胶体,包覆所述载板的所述上表面、这些电性连接组件及所述互补式金属氧化物半导体感测装置;及

多个导电组件,形成在这些连接组件之上。

2.根据权利要求1所述的封装结构,其中这些电性连接组件为一种金手指结构。

3.一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装方法,包含:

提供具有上表面及下表面的载板;

形成多个相同图案化的金属层在所述载板的所述上表面上,包含:

形成金属层在所述载板上;

形成具有多个相同图案化的光阻层在所述金属层上;

移除部份所述金属层以形成所述图案化金属层,且暴露出部份所述载板的所述上表面;及

移除所述具有这些图案化的光阻层;

电性连接多个互补式金属氧化物半导体感测芯片至所述多个图案化金属层,其中所述互补式金属氧化物半导体感测芯片的主动面上具有多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在所述主动面的外围附近上,通过这些焊盘电性连接于部份所述图案化金属层之上;

电性连接多个电性连接组件于部份所述图案化金属层之上;

执行一注模步骤,以包覆所述载板的上表面、这些电性连接组件及这些互补式金属氧化物半导体感测芯片;

暴露出这些电性连接组件的端点;

形成多个导电组件在每一这些已暴露的电性连接组件的端点上;及

执行切割步骤,以形成多个完成封装的互补式金属氧化物半导体感测装置。

4.根据权利要求3所述的封装方法,其中这些电性连接组件为一种金手指结构。

5.一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装方法,包含:提供具有上表面及下表面的载板;

形成多个相同图案化的金属层在所述载板的所述上表面上;

电性连接多个互补式金属氧化物半导体感测芯片至所述多个图案化金属层,其中所述互补式金属氧化物半导体感测芯片的主动面上具有多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在所述主动面的外围附近上,通过这些焊盘电性连接于部份所述图案化金属层之上;

注入模流,以形成封胶体来包覆所述载板的所述上表面及所述互补式金属氧化物半导体感测芯片;

形成多个孔洞以暴露出部份所述图案化金属层;

填满这些孔洞以形成多个电性连接组件;

形成多个导电组件在这些电性连接组件之上;及

执行切割步骤,以形成多个完成封装的互补式金属氧化物半导体感测装置。

6.根据权利要求5所述的封装方法,其中形成这些图案化金属层的方法包含:

形成金属层在所述载板上;

形成具有多个相同图案化的光阻层在所述金属层上;

移除部份所述金属层以形成这些相同图案化金属层,且暴露出部份所述载板的所述上表面;及

移除具有所述些图案化之光阻层。

7.根据权利要求5所述的封装方法,其中形成这些孔洞是以蚀刻方式形成。

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