[发明专利]互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明主要涉及一种半导体封装组件，尤其涉及一种互补式金属氧化物半导体传感器封装组件及其制造方法。

背景技术

半导体技术发展非常快速，特别是半导体芯片(semiconductordice)有趋于小型化的倾向。然而，半导体芯片的功能需求却有相对多样化的倾向。换言之，半导体芯片在一较小区域中需求更多的输入/输出盘(pads)，所以引脚(pins)的密度也随之快速提高。其导致半导体芯片之封装变得更困难且降低成品率。封装结构的主要目的在于保护芯片免受外部损伤。然而，大部份封装技术是先将一晶圆上的芯片切割成多个单一芯片，然后再封装与测试每一颗单一芯片。另外，一种称为“晶圆级封装”(wafer level package；WLP)的封装技术，可以在分割芯片成为单一芯片之前，在一晶圆上封装芯片。晶圆级封装技术有一些优点，例如生产周期较短、成本较低以及不需要填充物(under-fill)。

一种数字影像技术已广泛运用至影像摄影装置，例如数字相机、影像扫描等，目前的影像摄影装置大都使用互补式金氧半导体传感器(CMOS传感器)作为影像读取的装置。互补式金属氧化物半导体传感器具有一固定于其中的芯片(chip)，影像信号通过芯片的感测区域中的多个数组式感测组件传送到数字处理器，用以转换模拟信号成为数字信号。由于互补式金氧半导体传感器的感测区域对于灰尘粒子相当敏感，会导致感测组件的质量下降。为了达到上述目的，一般是在芯片的感测区域的多个感测组件上再形成一透明材质，特别是一种玻璃，用以保护感测组件，并且还可以增加聚焦的功能。

接着，请参考图1，为先前技术所披露的一种以晶圆级封装来形成一CMOS传感器的封装结构，其封装结构是将一CMOS传感器固接于绝缘基板100之上，在CMOS传感器的感测区域上形成一微型透镜140数组，然后再在微型透镜140数组上形成另一保护层150。

很明显地，在先前技术中，对CMOS传感器的封装工艺较为复杂且必须逐层来完成，除了增加工艺的时间外，还有可能在制造过程中，使得CMOS传感器的感测区域受到污染。为此，本发明提出一种新的CMOS传感器封装工艺及其结构，可以有效减少封装的时间并可有效地提升CMOS传感器的可靠度。

发明内容

鉴于以上的问题，本发明的主要目的在于提供一种互补式金属氧化物半导体传感器封装组件，藉以减少制造时间以节省制造成本。

本发明的另一主要目的在于提供一种互补式金属氧化物半导体传感器封装组件，藉以增加组件的可靠度。

根据以上目的，本发明提供一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装结构，包括：一个具有一上表面及一下表面的载板，载板的上表面配置有图案化的金属层；一个互补式金属氧化物半导体感测芯片，其主动面上配置有多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在主动面的外围附近上，且每一焊盘与部份的图案化金属层电性连接；多个电性连接组件，设置在部份图案化金属层之上并形成电性连接；封胶体，包覆载板的上表面、电性连接组件及互补式金属氧化物半导体感测装置；及多个导电组件，形成在这些连接组件之上。

本发明还披露一种互补式金属氧化物半导体感测芯片的封装方法，包含：提供一具有一上表面及一下表面的载板；形成多个相同图案化的金属层在载板的上表面上；接着电性连接多个互补式金属氧化物半导体感测芯片至多个图案化金属层，其中互补式金属氧化物半导体感测芯片的主动面上具有多个互补式金属氧化物半导体感测组件且具有多个焊盘设置在主动面之外围附近上，通过焊盘电性连接于部份图案化金属层之上；电性连接多个电性连接组件于部份图案化之金属层之上；然后执行一注模步骤，以包覆载板的上表面、电性连接组件及这些互补式金属氧化物半导体感测芯片；接着暴露出电性连接组件的一端点；形成多个导电组件在每一已暴露的电性连接组件的端点上；及执行一切割步骤，以形成多个完成封装的互补式金属氧化物半导体感测装置。

有关本发明的特征，现配合图示作最佳实施例详细说明如下。(为使对本发明的目的、构造、特征、及其功能有进一步的了解，现配合实施例详细说明如下。)

附图说明

图1为现有的封装组件的剖面示意图；

图2为根据本发明在载板上形成多个图案化金属层的示意图；

图3为根据本发明在多个图案化金属层上贴附多个互补式金属氧化物半导体传感器芯片的剖面示意图；

图4为根据本发明在图3的结构上形成多个电性连接组件的剖面示意图；