[发明专利]横向扩散金属氧化物晶体管无效
| 申请号： | 200710164003.9 | 申请日： | 2007-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN101414630A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张智毅;孙兴华;龙赞伦;邱振铭 | 申请（专利权）人： | 天钰科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 周春发 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一栅氧化物，一晶栅，一第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一第一类型高掺杂区域以作为基区，一第二类型高掺杂源极区域，一第二类型高掺杂漏极区域，以及一第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域。 | ||
| 搜索关键词： | 横向 扩散 金属 氧化物 晶体管 | ||
【主权项】：
1. 一种横向扩散金属氧化物晶体管，其包括一第一类型衬底，一设置在该第一类型衬底上的栅氧化物，一设置在该栅氧化物上的晶栅，一对该第一类型衬底进行部分掺杂从而形成的第二类型轻掺杂区域以作为阱区，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂区域以作为基区，一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂源极区域，一对该第二类型轻掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第二类型高掺杂漏极区域，以及一对该第一类型高掺杂区域进行部分掺杂从而形成的第一类型高掺杂衬底电极区域，该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域分别形成在该晶栅的两侧，该第一类型高掺杂衬底电极区域靠近该第二类型高掺杂源极区域形成，且该第一类型高掺杂区域及该第二类型轻掺杂区域分别具有一部分直接位于该晶栅之下以隔开该第二类型高掺杂源极区域与该第二类型高掺杂漏极区域，其特征在于，该横向扩散金属氧化物晶体管进一步包括设置在该第二类型高掺杂源极区域之下的一第一掺杂区域，该第一掺杂区域为第一类型掺杂区域。
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